[發明專利]發光元件、發光裝置、以及電子設備

有效

• 申請號: 200810168105.2
• 申請日: 2008-09-27
• 公開（公告）號: CN101399319A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 下垣智子;鈴木恒德;瀨尾哲史
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L27/32
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 郭 放

1.一種發光元件，包括：

一對電極之間的EL層，

其中，所述EL層包括：空穴注入層、第一空穴傳輸層、第二空 穴傳輸層、以及發光層，

所述空穴注入層、所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層在 所述發光層與用作陽極的電極之間，

所述第一空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述第二空穴傳 輸層之間，并且

所述第一空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴 注入層的最高占據軌道能級的絕對值和所述第二空穴傳輸層的最高 占據軌道能級的絕對值大。

2.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述第一空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值比所述 空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值和所述第二空穴傳輸層的 最高占據軌道能級的絕對值大0.1eV以上。

3.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述發光層包括具有電子傳輸性的物質。

4.一種包括根據權利要求1所述的發光元件的發光裝置。

5.一種包括根據權利要求4所述的發光裝置的電子設備。

6.一種發光元件，包括：

一對電極之間的EL層，

其中，所述EL層包括：空穴注入層、具有空穴傳輸性的第一空 穴傳輸層、第二空穴傳輸層、以及發光層，

所述空穴注入層、所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層在 所述發光層與用作陽極的電極之間，

所述第一空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述第二空穴傳 輸層之間，并且

所述第一空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴 注入層的最高占據軌道能級的絕對值和所述第二空穴傳輸層的最高 占據軌道能級的絕對值小。

7.根據權利要求6所述的發光元件，

其中，所述第一空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值比所述 空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值和所述第二空穴傳輸層的 最高占據軌道能級的絕對值小0.1eV以上。

8.根據權利要求6所述的發光元件，

其中，所述發光層包括具有電子傳輸性的物質。

9.一種包括根據權利要求6所述的發光元件的發光裝置。

10.一種包括根據權利要求9所述的發光裝置的電子設備。

11.一種發光元件，包括：

一對電極之間的EL層，

其中，所述EL層包括：空穴注入層、具有空穴傳輸性的第一空 穴傳輸層、第二空穴傳輸層、發光層、以及控制電子移動的第五層，

所述空穴注入層、所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層在 所述發光層與用作陽極的電極之間，

所述第五層在所述發光層與用作陰極的電極之間，

所述第一空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述第二空穴傳 輸層之間，

所述第一空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴 注入層的最高占據軌道能級的絕對值和所述第二空穴傳輸層的最高 占據軌道能級的絕對值大，并且

所述第五層包括具有電子傳輸性的第一有機化合物和具有空穴 傳輸性的第二有機化合物，且所述第二有機化合物的含量的質量比低 于整體的50％。

12.根據權利要求11所述的發光元件，

其中，所述第二有機化合物的最低空軌道能級的絕對值和所述第 一有機化合物的最低空軌道能級的絕對值的差異為0.3eV以下，并且

當所述第一有機化合物的偶極矩為P₁，所述第二有機化合物的 偶極矩為P₂時，滿足P₁/P₂≥3的關系。