[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810166300.1
• 申請日: 2008-09-25
• 公開（公告）號: CN101399254A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設計）人: 高橋昌男;竹村康司;阪下俊彥;三村忠昭
• 申請（專利權）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置，具有內部電路、布線、通過上述布線與上述內 部電路電連接且配置成多列的電極焊盤，

上述電極焊盤具有能讓探針接觸和與外部連接的探針區(qū)域和不讓探 針接觸而能與外部連接的非探針區(qū)域，

在上述探針區(qū)域正下方?jīng)]有形成上述布線，并且在上述非探針區(qū)域正 下方形成有上述布線，

上述探針區(qū)域是在上述電極焊盤上的存在探針痕的區(qū)域，上述非探針 區(qū)域是在上述電極焊盤上的不存在探針痕的區(qū)域，

上述半導體裝置進一步具有焊盤金屬，該焊盤金屬被設置在上述探針 區(qū)域的正下方，且與正上方的上述電極焊盤連接，在與上述布線同一布線 層上形成。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述探針區(qū)域被配置在上述電極焊盤中的距與上述布線延伸的方向 大致平行延伸的上述電極焊盤的中心線20μm以內的區(qū)域，

上述非探針區(qū)域被配置在上述電極焊盤中的在探針區(qū)域以外的區(qū)域。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

將上述電極焊盤和上述焊盤金屬連接的連接部，由填埋上述電極焊盤 和上述焊盤金屬之間的空間的金屬來構成。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

將上述電極焊盤和上述焊盤金屬電連接的連接部，采用多個過孔形狀 的金屬體來構成。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

構成1個上述連接部的上述金屬體相互之間，在俯視下被配置成互相 等間隔且均勻。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

形成有能在光學上區(qū)別上述探針區(qū)域和上述非探針區(qū)域的邊界線的 記號。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

上述記號通過上述電極焊盤的最上金屬層來形成。

8.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

上述記號通過在上述電極焊盤周圍部分上設置的保護膜來形成。

9.根據(jù)權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述電極焊盤被配置成鋸齒狀。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

還具有絕緣層，其內部設置有上述布線，

上述絕緣層的一部分，設置在上述布線的整個上面與上述電極焊盤的 整個下面之間。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述布線的整個上面與上述電極焊盤的整個下面之間，僅形成了上 述絕緣層的一部分。

12.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

俯視觀察時，上述內部電路被上述電極焊盤包圍。