[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810149603.2 | 申請日: | 2008-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN101388404A | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭然植;許峻瑛 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/43;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2007年9月13日提交的韓國專利申請No.10-2007-0093077,和2008年8月19日提交的韓國專利申請No.10-2008-0080687的優(yōu)先權(quán),其在這里全部結(jié)合作為參考,就像在這里全部列出一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法,尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件中用作驅(qū)動開關(guān)的薄膜晶體管的電極結(jié)構(gòu)以及制造該有機電致發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)
在多媒體時代,顯示器件需要更薄更大并能顯示接近自然色的顏色。常規(guī)陰極射線管(CRT)提供40英寸或更大的大屏幕方面受到限制。有機電致發(fā)光器件、液晶顯示器件(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)和投影TV(電視)等正高速發(fā)展,廣泛用在高分辨率圖像的領(lǐng)域中。
在上述顯示器件中,有機電致發(fā)光器件是以下面的方式發(fā)光的器件;如果電荷注入在陰極與陽極之間形成的有機膜中,則電子空穴對消失(extinct),從而發(fā)光。因此,有機電致發(fā)光器件可形成在柔性透明基板,如塑料上。此外,與等離子體顯示面板或無機電致發(fā)光器件相比,有機電致發(fā)光器件可以以低電壓(大約10V以下)操作。此外,因為有機電致發(fā)光器件具有相對低的功耗和出色的彩色感覺(color?sensation)的優(yōu)點,所以作為下一代顯示器件,有機電致發(fā)光器件已經(jīng)吸引人們的注意。此外,為了以低電壓操作有機電致發(fā)光器件,重要的是保持有機膜具有非常薄且均勻的厚度(大約100~200nm)和器件的穩(wěn)定性。
有機電致發(fā)光器件根據(jù)子像素的驅(qū)動方法分為在電信號的開關(guān)控制下操作的無源矩陣型有機電致發(fā)光器件和使用薄膜晶體管(TFT)操作的有源電致發(fā)光器件。
下面描述常規(guī)的有源矩陣型有機電致發(fā)光器件。
在常規(guī)的有源矩陣型有機電致發(fā)光器件中,在透明基板上形成有薄膜晶體管。在該情形中,薄膜晶體管包括:具有源區(qū)域、漏區(qū)域和溝道區(qū)域的有源層,柵絕緣膜,柵極,層間絕緣膜和源極/漏極。源區(qū)域和漏區(qū)域通過形成在層間絕緣膜和柵絕緣膜中的接觸孔分別與源極和漏極接觸。
此外,在具有薄膜晶體管的基板上形成由有機材料形成的平坦化膜。此外,在平坦化膜上形成與漏極電連接的陽極。此外,在陽極電極上形成有機發(fā)光層,而且在有機發(fā)光層上形成陰極電極。在該情形中,有機發(fā)光層包括空穴傳輸層、紅色,綠色和藍色發(fā)光層和電子傳輸層。
在該情形中,空穴傳輸層包括空穴注入層和空穴遷移層。電子傳輸層包括電子遷移層和電子注入層。
然而,上述常規(guī)的有機電致發(fā)光器件具有下面的問題。
在常規(guī)的有源矩陣型有機電致發(fā)光器件中,在陽極、發(fā)光層和陰極的沉積工序中,薄膜晶體管暴露于X射線或類似物,由此導(dǎo)致對薄膜晶體管的損害。此外,還具有減小源極/漏極層之間的電接觸的問題。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法,其基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種能在陽極、發(fā)光層和陰極的沉積工序中保護薄膜晶體管免受X射線或類似物損壞并能提高有源矩陣型有機電致發(fā)光器件中源極和漏極的界面特性的有機電致發(fā)光器件及其制造方法。
在下面的描述中將部分列出本發(fā)明其它的優(yōu)點,目的和特征,且根據(jù)下面的解釋,部分對于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是顯而易見的,或者可以通過實踐本發(fā)明領(lǐng)會到。通過所寫說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的,如這里具體表示和廣義描述的,有機電致發(fā)光器件包括:透明基板;半導(dǎo)體層,包括源區(qū)域、溝道區(qū)域和漏區(qū)域;柵絕緣膜,在所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域上具有第一接觸孔,且該柵絕緣膜形成在包括所述半導(dǎo)體層的基板上;形成在所述溝道區(qū)域上方的所述柵絕緣膜上的柵極;層間絕緣膜,在所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域上具有第二接觸孔,且該層間絕緣膜形成在包括所述柵極的所述柵絕緣膜的整個表面上;源極和漏極,形成在所述層間絕緣膜上,從而通過所述第一接觸孔和第二接觸孔與所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域電連接,其中所述源極和所述漏極中的至少之一形成為覆蓋所述半導(dǎo)體層,所述源極和所述漏極中至少之一具有0.001~0.1%的X射線透射率并形成為具有三層結(jié)構(gòu);平坦化膜,具有在所述漏極上的第三接觸孔,且該平坦化膜形成在具有所述源極和漏極的基板的整個表面上;陽極電極,形成在所述平坦化膜上的像素區(qū)域中,從而通過所述第三接觸孔與所述漏極電連接;有機發(fā)光層,形成在所述陽極電極上;以及陰極電極,形成在所述有機發(fā)光層上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于樂金顯示有限公司,未經(jīng)樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810149603.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





