[發明專利]有機電致發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200810149603.2
• 申請日: 2008-09-11
• 公開（公告）號: CN101388404A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 鄭然植;許峻瑛
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L29/43;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種有機電致發光器件，包括：

透明基板；

半導體層，包括源區域、溝道區域和漏區域；

柵絕緣膜，在所述源區域和所述漏區域上具有第一接觸孔，且該柵絕緣膜形成在包括所述半導體層的基板上；

柵極，形成在所述溝道區域上方的所述柵絕緣膜上；

層間絕緣膜，在所述源區域和所述漏區域上具有第二接觸孔，且該層間絕緣膜形成在包括所述柵極的所述柵絕緣膜的整個表面上；

源極和漏極，形成在所述層間絕緣膜上，從而通過所述第一接觸孔和第二接觸孔與所述源區域和所述漏區域電連接，

其中，所述源極和所述漏極中至少之一形成為覆蓋所述半導體層，所述源極和所述漏極中至少之一具有0.001～0.1％的X射線透射率并形成為具有三層結構；

平坦化膜，具有在所述漏極上的第三接觸孔，且該平坦化膜形成在具有所述源極和漏極的基板的整個表面上；

陽極電極，形成在所述平坦化膜上的像素區域中，從而通過所述第三接觸孔與所述漏極電連接；

有機發光層，形成在所述陽極電極上；以及

陰極電極，形成在所述有機發光層上。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述三層結構包括：由鈦Ti或鉬Mo形成的表面活性劑層；形成在所述表面活性劑層上并由選自鉻Cr、銅Cu、金Au、鎳Ni、銀Ag、鉭Ta、鋁Al和鋁化釹AlNd的材料形成的導電層；以及形成在所述導電層上并由鈦Ti或鎢W形成的鈍化層。

3.根據權利要求2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述導電層形成為具有200～500nm的厚度。

4.根據權利要求2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鈍化層具有30～100nm的厚度和0.2～1.0％的X射線透射率。

5.根據權利要求2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述表面活性劑層具有30～100nm的厚度和0.1～0.5％的X射線透射率。

6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述半導體層由柵極、源極和漏極覆蓋。

7.一種制造有機電致發光器件的方法，包括：

在基板上形成包括源區域、溝道區域和漏區域的半導體層；

在包括所述半導體層的基板上形成柵絕緣膜；

在所述溝道區域上方的所述柵絕緣膜上形成柵極；

在包括所述柵極的柵絕緣膜的整個表面上形成層間絕緣膜；

在所述柵絕緣膜和所述層間絕緣膜中形成第一接觸孔，從而暴露所述源區域和所述漏區域；

在所述層間絕緣膜上形成通過所述第一接觸孔與所述源區域和所述漏區域電連接的源極和漏極，

其中，所述源極和所述漏極中的至少之一形成為覆蓋所述半導體層，所述源極和所述漏極中至少之一具有0.001～0.1％的X射線透射率并形成為具有三層結構；

在包括所述源極和所述漏極的基板的整個表面上形成平坦化膜；

在所述平坦化膜中形成暴露所述漏極的第三接觸孔；

在所述平坦化膜上的像素區域中形成通過所述第三接觸孔與所述漏極電連接的陽極電極；

在所述陽極電極上形成有機發光層；以及

在所述有機發光層上形成陰極電極。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述源極和所述漏極的步驟包括：

使用鈦Ti或鉬Mo在所述層間絕緣膜上形成表面活性劑層；

使用選自鉻Cr、銅Cu、金Au、鎳Ni、銀Ag、鉭Ta、鋁Al和鋁化釹(AlNd)的材料在所述表面活性劑層上形成導電層；以及

使用鈦Ti或鎢W在所述導電層上形成鈍化層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述導電層形成為具有200～500nm的厚度。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述鈍化層具有30～100nm的厚度和0.2～1.0％的X射線透射率。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述表面活性劑層具有30～100nm的厚度和0.1～0.5％的X射線透射率。

12.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述半導體層由柵極、源極和漏極覆蓋。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述陽極電極、所述有機發光層和所述陰極電極中的至少之一由電子束沉積方法形成。