[發明專利]用納米級材料作為晶體管溝道的生物傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200810149226.2
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101393203A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 李文淑;趙炳玉;柳萬馨;安江崇裕;夏政煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01N33/50
• 分類號: G01N33/50
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉光明;穆德駿

1.一種生物傳感器，其包括：

多個絕緣膜；

在多個絕緣膜之間的第一信號線和第二信號線；

在多個絕緣膜上的半導體納米結構，所述半導體納米結構具有電 連接到第一信號線的第一側和電連接到第二信號線的第二側；以及

耦合到所述半導體納米結構的多個探針。

2.如權利要求1所述的生物傳感器，其中所述多個絕緣膜包括具 有外部表面的外部絕緣膜，所述外部表面具有凹進區域，所述半導體 納米結構被設置在所述凹進區域中。

3.如權利要求1所述的生物傳感器，其中所述多個絕緣膜包括多 于兩個的層間絕緣膜，所述第一和第二信號線通過至少一個層間絕緣 膜相互絕緣。

4.如權利要求3所述的生物傳感器，其還包括：

穿過多于兩個層間絕緣膜中的至少一個以電連接第一信號線和半 導體納米結構第一側的第一觸頭；和

穿過多于兩個層間絕緣膜中的至少兩個以電連接第二信號線和半 導體納米結構第二側的第二觸頭。

5.如權利要求4所述的生物傳感器，其還包括：

連接第一觸頭和半導體納米結構第一側的第一觸板，所述第一觸 板的寬度大于所述第一觸頭的寬度；和

連接第二觸頭和半導體納米結構第二側的第二觸板，所述第二觸 板的寬度大于所述第二觸頭的寬度。

6.如權利要求1所述的生物傳感器，其還包括：

與半導體納米結構絕緣的柵線，所述柵線橫穿第一和第二信號線。

7.如權利要求1所述的生物傳感器，其還包括：

在半導體納米結構上的涂覆膜。

8.如權利要求1所述的生物傳感器，其還包括：

在半導體納米結構上的表面活化層。

9.如權利要求1所述的生物傳感器，其中所述半導體納米結構包 括納米線結構、納米管結構和納米顆粒結構中的至少一種。

10.如權利要求1所述的生物傳感器，其中所述半導體納米結構 包括Si、ZnO、GaN、Ge、InAs、GaAs和C中的至少一種。

11.如權利要求1所述的生物傳感器，其中所述半導體納米結構 是具有核和圍繞該核的至少一個殼的多壁納米結構。

12.一種制造生物傳感器的方法，其包括：

在基板上設置半導體納米結構；

在半導體納米結構上形成多個絕緣膜、第一信號線和第二信號線， 所述第一信號線電連接到所述半導體納米結構的第一側，所述第二信 號線電連接到所述半導體納米結構的第二側；

通過去除基板暴露出半導體納米結構；和

將多個探針耦合到半導體納米結構。

13.如權利要求12所述的方法，其中去除基板包括研磨或熔融基 板。

14.如權利要求12所述的方法，其中形成多個絕緣膜、第一信號 線和第二信號線包括：

在所述半導體納米結構上形成下部層間絕緣膜，

在所述下部層間絕緣膜上形成所述第一信號線，

在所述第一信號線上形成上部層間絕緣膜，和

在所述上部層間絕緣膜上形成所述第二信號線。

15.如權利要求14所述的方法，其還包括：

形成穿過所述下部層間絕緣膜以電連接第一信號線和半導體納米 結構第一側的第一觸頭，和

形成穿過所述下部和上部層間絕緣膜以電連接第二信號線和半導 體納米結構的第二側的第二觸頭。

16.如權利要求12所述的方法，其還包括：

形成與半導體納米結構絕緣的柵線，所述柵線橫穿第一和第二信 號線。

17.如權利要求12所述的方法，還包括：

在半導體納米結構上提供涂覆膜。