[發(fā)明專利]硅貫通電極晶圓的研磨方法與其所使用的研磨組成物

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810135107.1
• 申請日: 2008-07-30
• 公開（公告）號: CN101637884A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設計）人: 賴欣宜;劉文政;李康華
• 申請（專利權）人: 長興開發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B29/00;C09G1/06;C09K3/14;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇

1.一種硅貫通電極晶圓的研磨方法，包含：使一研磨組成物對一硅貫通電極晶圓的一研磨面進行一研磨處理；其特征在于，

該研磨組成物包括有一堿性化合物、一溶劑、氧化硅研磨粒子，與一氧化劑，且該研磨組成物具有一流速，該硅貫通電極晶圓被施以一研磨壓力地與一研磨墊接觸，且在該研磨處理進行中時，該研磨墊與該硅貫通電極晶圓分別具有一轉速。

2.根據權利要求1所述的硅貫通電極晶圓的研磨方法，其特征在于，該研磨組成物的組成、該研磨組成物的流速、該研磨壓力、該研磨墊轉速，與該硅貫通電極晶圓轉速中至少一者于該研磨處理進行中被機動調整。

3.根據權利要求1所述的硅貫通電極晶圓的研磨方法，其特征在于，該研磨壓力介于1psi～10psi之間。

4.根據權利要求1所述的硅貫通電極晶圓的研磨方法，其特征在于，該研磨墊的轉速介于30rpm～300rpm之間。

5.根據權利要求1所述的硅貫通電極晶圓的研磨方法，其特征在于，該硅貫通電極晶圓的轉速介于30rpm～300rpm之間。

6.根據權利要求1所述的硅貫通電極晶圓的研磨方法，其特征在于，該研磨組成物的流速介于50ml/min～500ml/min之間。

7.一種用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，包含一堿性化合物、一溶劑、氧化硅研磨粒子；其特征在于，還包含一氧化劑。

8.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，該氧化劑擇自于過氧化氫、硝酸、硝酸鹽、次氯酸、次氯酸鹽、過氯酸、高氯酸鹽、過硫酸鹽、高錳酸鹽、過碘酸、過碘酸鹽、鐵氰化物、過乙酸，或其組合。

9.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，該氧化劑擇自于過氧化氫、硝酸、硝酸銨、硝酸胍、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鈣、硝酸鐵、硝酸銅、硝酸鉛、硝酸鋇、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、亞硝酸鋇、次氯酸、次氯酸鉀、次氯酸鈉、次氯酸鈣、過氯酸、過氯酸銨、過氯酸鉀、過氯酸鈉、過氯酸鎂、過氯酸鋇、過氯酸鉛、過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉、過氯酸鎂、過硫酸氫鉀、過錳酸鉀、過錳酸鈉、過錳酸鈣、過碘酸、過碘酸鉀、過碘酸鈉、鐵氰化鉀、鐵氰化鈉、過乙酸，或其組合。

10.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，該堿性化合物擇自于胺類、氫氧化物、碳酸鹽、碳酸氫鹽，或其組合。

11.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，該氧化劑的含量占該研磨組成物的0.01wt％～5wt％。

12.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，該堿性化合物的含量占該研磨組成物的0.01wt％～25wt％。

13.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，所述氧化硅研磨粒子的含量占該研磨組成物的0.5wt％～50wt％。

14.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，還包含有一添加劑，其擇自于二醇類化合物及/或界面活性劑。

15.根據權利要求14所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，該添加劑的含量占該研磨組成物的0.01wt％～4wt％。

16.根據權利要求7所述的用于研磨硅貫通電極晶圓的研磨組成物，其特征在于，具有介于9～13之間的pH值。