[發(fā)明專利]薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810105027.1
• 申請(qǐng)日: 2008-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101566768A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張彌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G03F7/00
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張穎玲;王黎延

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(LCD)陣列基板，尤其涉及薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。?

背景技術(shù)

目前，世界已進(jìn)入信息革命時(shí)代，顯示技術(shù)及顯示器件在信息技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中占據(jù)了十分重要的地位。其中，平板顯示由于具有重量輕、厚度薄、體積小、無(wú)輻射、不閃爍等優(yōu)點(diǎn)，已成為顯示技術(shù)發(fā)展的方向。在平板顯示技術(shù)中，TFT?LCD因其具有功耗低、制造成本相對(duì)較低、無(wú)輻射的特點(diǎn)，在平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。?

TFT?LCD器件是由陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板對(duì)盒而形成的，圖1～圖1b所示是目前主流的非晶硅TFT結(jié)構(gòu)單一像素俯視圖、及其A-A和B-B部位的截面示意圖。如圖1～圖1b所示，該非晶硅TFT結(jié)構(gòu)采用背溝道腐蝕的底柵結(jié)構(gòu)，該陣列結(jié)構(gòu)包括：一組柵極掃描線1和與之垂直的一組數(shù)據(jù)掃描線5，相鄰的柵極掃描線1和數(shù)據(jù)掃描線5定義一個(gè)像素區(qū)域。每一個(gè)像素包含有一個(gè)TFT開(kāi)關(guān)器件、像素電極10和部分的公共電極引線11，所述TFT開(kāi)關(guān)器件由柵電極2、歐姆接觸層14、半導(dǎo)體層3、柵電極絕緣層4、以及源電極6和漏電極7組成；在柵電極2、歐姆接觸層14、半導(dǎo)體層3、柵電極絕緣層4、以及源電極6和漏電極7之上覆蓋有鈍化層8，并且，在漏電極7上方形成鈍化層過(guò)孔9；像素電極10通過(guò)鈍化層過(guò)孔9與TFT的漏電極7相連接；像素電極10一部分和柵極掃描線1一起形成存儲(chǔ)電容(圖中未示出)。為了進(jìn)一步降低對(duì)盒后像素間的漏光，在像素平行于數(shù)據(jù)掃描線5的兩側(cè)形成擋光條12。?

上述圖1～圖1b所示的像素結(jié)構(gòu)，一般使用5-Mask工藝制造。5-Mask工?藝是目前制作TFT的典型工藝技術(shù)，其主要工藝步驟如圖2所示，包括：?

步驟201～202：形成柵電極及其引線，形成柵電極絕緣層、歐姆接觸層和半導(dǎo)體層；?

步驟203～205：形成源電極、漏電極及數(shù)據(jù)掃描線；形成鈍化層及像素電極。?

圖2所示的每個(gè)步驟都包括薄膜沉積工藝、以及曝光和刻蝕等構(gòu)圖工藝。除圖2所示的5-Mask技術(shù)，在現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)改變Mask設(shè)計(jì)和工藝流程，也可產(chǎn)生其它的Mask工藝技術(shù)，這里不再贅述。?

使用上述5-Mask工藝所制造的圖1～圖1b所示的像素結(jié)構(gòu)，由于像素電極10與柵極掃描線1之間存在柵電極絕緣層4和鈍化層8，所以，存儲(chǔ)電容(圖中未示出)較小，進(jìn)而跳變電壓較大，會(huì)影響畫面顯示品質(zhì)。?

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，能夠在簡(jiǎn)化工藝過(guò)程的同時(shí)，提高畫面顯示品質(zhì)。?

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：?

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括基板；所述基板之上形成有像素電極以及透明導(dǎo)電層，所述像素電極和所述透明導(dǎo)電層為相同材料部分，且所述像素電極與所述透明導(dǎo)電層互不連接；?

所述像素電極之上形成有漏電極，所述透明導(dǎo)電層之上形成有數(shù)據(jù)掃描線和源電極，且所述源電極與所述數(shù)據(jù)掃描線連接，所述漏電極與所述像素電極連接；?

所述源電極與漏電極之上依次形成有歐姆接觸層、以及半導(dǎo)體層，且歐姆接觸層分別與源電極和漏電極接觸的部分互不連接；?

源電極、漏電極未被歐姆接觸層覆蓋的部分、歐姆接觸層未被半導(dǎo)體層覆蓋的部分、以及半導(dǎo)體層之上均形成有鈍化層；?

所述鈍化層之上形成有柵極掃描線及柵電極；?

所述柵極掃描線和所述柵電極之上形成有柵電極絕緣層。?

其中，源電極與漏電極之間的歐姆接觸層包含有半導(dǎo)體摻雜區(qū)域，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)域使歐姆接觸層分別與源電極和漏電極連接的部分互不連接。?

該基板結(jié)構(gòu)還包括：?

所述鈍化層之上、柵電極絕緣層之下還形成有擋光條和公共電極引線，所述擋光條平行于所述數(shù)據(jù)掃描線，所述公共電極引線平行于所述柵極掃描線。?

所述柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線、源電極、漏電極、公共電極引線或擋光條為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬及鋁鎳之一構(gòu)成的單層、或上述金屬材料任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層。?

本發(fā)明同時(shí)提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法包括：?

A、在基板上依次沉積像素電極層、金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝在基板上形成像素電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線，且使得所述源電極與所述數(shù)據(jù)掃描線連接，所述漏電極與所述像素電極連接，位于數(shù)據(jù)掃描線以及源電極之下的像素電極層為透明導(dǎo)電層，所述像素電極和透明導(dǎo)電層互不連接；?