[發明專利]形成倒裝芯片突起載體式封裝的方法

有效

• 申請號: 200810098969.1
• 申請日: 2008-05-26
• 公開（公告）號: CN101383301A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 盧威耀;葉興強
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 柴毅敏

1.一種封裝半導體集成電路的方法，包括：

提供金屬箔片；

在所述金屬箔片的第一表面中形成多個腔；

用導電金屬鍍覆所述腔；

在金屬箔的第一表面和鍍覆腔上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜中形成多個通孔，其中所述通孔接觸相應的所述鍍覆腔；

用導電金屬鍍覆所述通孔；

在所述絕緣膜和鍍覆通孔上形成焊接阻擋膜；

處理所述焊接阻擋膜以在所述通孔上形成暴露區域；

用導電金屬鍍覆所述通孔上的暴露區域；

將突起的半導體管芯附裝到金屬箔的第一表面，其中管芯突起接觸相應的鍍覆暴露區域，由此將所述管芯電連接到鍍覆腔；以及

移除所述金屬箔片使得露出鍍覆腔的外表面，由此所述鍍覆腔的外表面形成與半導體管芯的電互連。

2.根據權利要求1所述的封裝半導體集成電路的方法，其中所述金屬箔片由銅構成。

3.根據權利要求1所述的封裝半導體集成電路的方法，其中在所述金屬箔片的第一表面中形成多個腔的步驟包括：

在所述金屬箔片的第一表面上形成光刻材料涂層；

掩模所述光刻材料涂層；以及

處理所掩模的光刻材料涂層以形成所述腔。

4.根據權利要求3所述的封裝半導體集成電路的方法，其中在所述金屬箔片的第一表面上形成光刻材料涂層的步驟包括在箔片的第一表面上形成阻擋光刻材料涂層和在箔片的第一表面上層疊干膜這兩者中之一。

5.根據權利要求4所述的封裝半導體集成電路的方法，其中處理所掩模的光刻材料涂層以形成所述腔的步驟包括刻蝕箔片的第一表面。

6.根據權利要求3所述的封裝半導體集成電路的方法，還包括在金屬箔片的第一表面上形成所述絕緣膜之前移除在金屬箔片的第一表面上形成的光刻材料涂層的步驟。

7.根據權利要求1所述的封裝半導體集成電路的方法，其中用于鍍覆所述腔的導電材料包括金。

8.根據權利要求1所述的封裝半導體集成電路的方法，其中所述絕緣膜包括焊接掩模。

9.根據權利要求8所述的封裝半導體集成電路的方法，其中利用激光在所述焊接掩模中形成通孔。

10.根據權利要求1所述的封裝半導體集成電路的方法，其中所述通孔用金鍍覆。

11.根據權利要求1所述的封裝半導體集成電路的方法，還包括封閉半導體管芯、金屬箔的第一表面的步驟。

12.一種形成多個半導體封裝的方法，所述方法包括：

提供金屬箔片；

在所述金屬箔片的第一表面中形成多個腔；

用導電金屬鍍覆所述腔；

在金屬箔的第一表面和鍍覆腔上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜中形成多個通孔，其中所述通孔接觸相應的所述鍍覆腔；

用導電金屬鍍覆所述通孔；

在所述絕緣膜和鍍覆通孔上形成焊接阻擋膜；

處理所述焊接阻擋膜以在所述通孔上形成暴露區域；

用導電金屬鍍覆所述通孔上的暴露區域；

將多個突起的半導體管芯附裝到金屬箔的第一表面，其中管芯突起接觸相應的鍍覆暴露區域；

封閉半導體管芯和金屬箔的第一表面；

移除金屬箔片使得露出鍍覆腔的外表面，由此所述鍍覆腔的外表面形成與半導體管芯的電互連；以及

執行單片化操作以分離相鄰的管芯，由此形成單獨的半導體封裝。