[發明專利]過程監控器以及半導體制造裝置

有效

• 申請號: 200810096963.0
• 申請日: 2003-09-30
• 公開（公告）號: CN101299407A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發明（設計）人: 湯淺光博
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/3065
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王怡

本申請是申請日為2003年9月30日、申請號為03824902.2且名稱為“過程監控器以及半導體制造裝置”的申請的分案申請。?

技術領域

本發明涉及監控如等離子處理這樣的半導體制造過程的過程監控器以及使用過程監控器的半導體制造裝置。?

背景技術

以前，在半導體制造裝置中，例如為對等離子過程進行最佳控制的等離子密度、溫度等的檢測，是在工廠進行開發時，將等離子探針或熱電偶插入等離子處理室進行檢測。但是，在LSI的制造中，如果多品種小量生產增多，則各種過程的條件就不同，對于每個過程的改變，都有必要進行等離子狀態的檢測。并且，每次插入探針等進行檢測而帶來的非常麻煩的事情是，必須要有檢測、控制用的配線，從而給檢測對象帶來干擾。此外，進行多點同時檢測有困難，而對實際上需要進行檢測的區域進行檢測也非常困難。更有甚者會產生污染的問題或設備運轉率降低的問題。?

最近，不用探針的傳感器，能夠與普通硅片一樣進行傳送的傳感晶片正在被開發之中(例如，參照Yen?Tran，Time?Yeh?and?Bruce?Dunn(UCLA)“使傳感陣列工作的鋰電池的開發”(“Development?ofLithium?Batteries?for?powering?Sensor?Arrays”)SFR?Work?shop?Novermber14，2001)。?

但是，作為硅片電源的電池，會由于反復的充放電而老化，在由于無法預測的事故而使傳感器晶片破損的情況下，構成電池的材料會污染等離子處理室。?

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的就是提供一種配有幾乎不會老化，不用擔心污染的電源的過程監控器，以及使用該過程監控器的半導體制造裝置。?

為達到上述目的，本發明采用電容器作為使用傳感器晶片的過程監控器的電源。電容器可以選擇某種材料，這種材料只要絕緣膜不變質，就不會由于反復充放電而老化，并且構成電容器的這種材料也不會對處理室產生污染。例如：電容器可以由多晶硅和氮化硅層積形成。?

并且，在本發明的過程監控器中，可以安裝存儲檢測數據的存儲裝置，還可以使用數據定時器，對過程監控器的工作時間或工作時刻等進行指定，對特定的狀態進行檢測。?

此外，通過將關鍵字存儲在過程監控器的ROM中，可以防止不正當使用。?

使用該過程監控器的本發明的半導體制造裝置包括：過程監控器容納部，用于容納過程監控器；充電機構，用于對作為電源的電容器進行充電；和過程監控器的檢測數據的讀寫機構。?

并且，本發明的半導體制造裝置，將從讀寫機構中讀出的檢測數據與預先生成的基準數據進行比較，當所述檢測數據超出所述基準數據的規定范圍時，也可以進行規定的控制。?

由于本發明的過程監控器將電容器作為電源進行使用，所以既不會老化，也不會造成處理室污染。此外，可以通過定時器得到特定期間的數據，由于數據讀出時必須需要關鍵字，所以可以防止不正當的使用。并且，在使用本發明的過程監控器的半導體制造裝置中，既可以不用煩惱污染或設備運轉率降低的問題地進行檢測，也可以進行適當的維護。?

附圖說明

圖1是本發明的過程監控器的概要示意圖；?

圖2是本發明的過程監控器充電裝置的一個示例的示意圖；?

圖3是本發明的過程監控器安裝的作為電源的電容器的一個示例的示?意圖。?

具體實施方式

參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。?

圖1是本發明一個實施方式的過程監控器的概要示意圖。圖1中的過程監控器例如在直徑300mm的半導體晶片1的表面安裝了9個呈十字形排列的10毫米方形的傳感器21～29。本例中，在晶片1的兩個地方，安裝有串聯連結而作為電源進行工作的疊層電容器11、12，作為傳感器檢測以及檢測信號讀出操作的電源進行使用。電容器的充放電，由與電容器的兩極相連結的充放電端子31、32進行。對必要的電量、耐電壓等進行考慮后，可以對是將電容器串聯連結進行使用還是并聯連結進行使用，進行適當的選擇。?

并且，安裝了定時器5及控制器4，由定時器5可以指定檢測操作的開始以及結束時刻或者檢測持續時間，由控制器4可以控制傳感器檢測操作、檢測到的信號向存儲裝置的寫入以及讀出、與外部的信號收發等。?