[發(fā)明專利]用于相變存儲器封裝的方法、裝置和系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810096677.4 | 申請日: | 2008-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN101281924A | 公開(公告)日: | 2008-10-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | A·沙 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L27/24 | 分類號: | H01L27/24;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;劉春元 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 相變 存儲器 封裝 方法 裝置 系統(tǒng) | ||
1、一種裝置,包括:
封裝襯底;和
位于所述封裝襯底上的多個堆疊管芯,所述多個堆疊管芯至少包括最高管芯、最低管芯和位于所述最高管芯和所述最低管芯之間的至少一個相變存儲器管芯,其中所述最高管芯和最低管芯是隔離管芯。
2、如權利要求1所述的裝置,還包括多個管芯附著材料層,其中所述多個管芯附著材料層中的一層位于所述封裝襯底和所述最低管芯之間,并且其余管芯附著材料層中的每一層位于堆疊管芯之間。
3、如權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述最高管芯和所述最低管芯沒有電耦合到所述封裝襯底。
4、如權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述最高管芯和所述最低管芯是非操作性管芯。
5、如權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述最高管芯和所述最低管芯中的一個管芯為操作性設備,而所述最高管芯和所述最低管芯中的另一個管芯為非操作性管芯。
6、如權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述最高管芯和所述最低管芯用于保護所述至少一個相變存儲器管芯在封裝過程中不會因加熱導致位擦除。
7、一種方法,包括:
在封裝襯底上堆疊多個管芯,所述多個管芯包括最低管芯、最高管芯和位于所述最高和最低管芯之間的至少一個相變存儲器管芯;和
在封裝操作過程中對所述多個管芯加熱。
8、如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述最高管芯和所述最低管芯沒有電耦合到所述封裝襯底。
9、如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述最高管芯和所述最低管芯中的一個管芯是操作性設備,而所述最高管芯和所述最低管芯中的另一個管芯是非操作性設備。
10、如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述封裝操作是模塑操作。
11、如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述封裝操作是等離子體操作。
12、如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述封裝操作是回流操作。
13、一種方法,包括:
將第一層管芯附著材料施加到襯底;
在所述第一層管芯附著材料上堆疊第一隔離管芯;
將第二層管芯附著材料施加到所述第一隔離管芯;
在所述第二層管芯附著材料上堆疊相變存儲器管芯以形成管芯疊層;以及
在封裝操作過程中對所述管芯疊層加熱。
14、如權利要求13所述的方法,其特征在于,所述封裝操作是回流操作。
15、如權利要求13所述的方法,還包括:在封裝操作過程中對所述管芯疊層加熱之前,將第三層管芯附著材料施加到所述相變存儲器管芯,并在所述第三層管芯附著材料上堆疊第二隔離管芯。
16、如權利要求15所述的方法,其特征在于,所述封裝操作是模塑操作。
17、如權利要求15所述的方法,其特征在于,所述相變存儲器管芯電耦合到所述襯底,并且其中所述第一隔離管芯和所述第二隔離管芯沒有電耦合到所述襯底。
18、一種系統(tǒng),包括:
互連;
耦合到所述互連的處理器;
耦合到所述互連的無線接口;以及
耦合到所述互連的相變存儲器設備,其中所述相變存儲器設備是包含最低隔離管芯和最高隔離管芯的封裝的一部分,并且所述相變存儲器設備在物理上位于所述最高隔離管芯和所述最低隔離管芯之間。
19、如權利要求18所述的系統(tǒng),其特征在于,所述封裝還包括位于所述相變存儲器設備和所述最高隔離管芯之間的第一層管芯附著材料和位于所述相變存儲器設備和所述最低隔離管芯之間的第二層管芯附著材料。
20、如權利要求18所述的系統(tǒng),其特征在于,所述最高隔離管芯和所述最低隔離管芯沒有電耦合到所述封裝襯底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





