[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200810096655.8
• 申請日: 2008-02-26
• 公開（公告）號: CN101276816A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 平林圣一
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/822;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 閆小龍;劉宗杰

1.?一種半導體裝置，具有：晶體管電路，在晶體管結構上，隔著層間絕緣膜層疊金屬膜而成；泄放電阻電路，在由多晶硅膜構成的泄放電阻上，隔著層間絕緣膜層疊金屬膜而成，其特征在于，

在所述晶體管電路中層疊的所述金屬膜由勢壘金屬膜以及布線膜構成，另一方面，在所述泄放電阻電路中層疊的所述金屬膜由布線膜構成。

2.?根據權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬膜包括防反射膜。

3.?一種半導體裝置，具有：晶體管電路，在晶體管結構上，隔著層間絕緣膜層疊金屬膜而成；泄放電阻電路，在由多晶硅膜構成的泄放電阻上，隔著層間絕緣膜層疊金屬膜而成，其特征在于，

在所述晶體管電路中層疊的所述金屬膜由勢壘金屬膜以及布線膜構成，另一方面，在所述泄放電阻電路中所層疊的所述金屬膜的與所述泄放電阻接合的部分為勢壘金屬膜，其以外的部分由布線膜構成。

4.?根據權利要求3的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬膜包括防反射膜。

5.?一種半導體裝置的制造方法，用于制造權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

在所述晶體管結構以及所述泄放電阻上，隔著所述層間絕緣膜形成作為所述金屬膜的勢壘金屬層以及布線膜之后，所述晶體管結構的所述勢壘金屬層殘留，另一方面，除去該泄放電阻電路的所述勢壘金屬層。

6.?根據權利要求5的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述金屬膜包括防反射膜。

7.?一種半導體裝置的制造方法，用于制造權利要求3的半導體裝置，其特征在于，

在所述晶體管結構以及所述泄放電阻上，隔著所述層間絕緣膜形成作為所述金屬膜的勢壘金屬層以及布線膜之后，所述晶體管結構的所述勢壘金屬層殘留，另一方面，除去該泄放電阻電路的所述勢壘金屬層的與所述泄放電阻接合的部分以外的部分。

8.?根據權利要求7的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述金屬膜包括防反射膜。