[發(fā)明專利]使用帶隙基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路的不規(guī)則電壓檢測(cè)和切斷電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810096278.8 | 申請(qǐng)日: | 2008-05-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101304169A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李昌勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H02H3/20 | 分類號(hào): | H02H3/20;H02H3/24 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 基準(zhǔn) 電壓 發(fā)生 電路 不規(guī)則 檢測(cè) 切斷 | ||
本申請(qǐng)要求2007年5月10日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2007-0045417的權(quán)益,將其全部公開(kāi)內(nèi)容結(jié)合在此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體集成電路,更具體地,涉及一種通過(guò)使用帶隙基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路來(lái)檢測(cè)和切斷不規(guī)則電壓的電路。
背景技術(shù)
當(dāng)向設(shè)定了工作電源范圍的系統(tǒng)施加不規(guī)則電壓(例如過(guò)高電壓或過(guò)低電壓)時(shí),系統(tǒng)不能正常工作。具體地,高電壓可以損壞系統(tǒng),因此需要將高電壓切斷的電路以便保護(hù)系統(tǒng)。
圖1是示出了可以保護(hù)顯示裝置免于不穩(wěn)定電源影響的傳統(tǒng)保護(hù)電路的圖。參考圖1,當(dāng)輸入電源電壓Vin超過(guò)正常工作范圍時(shí),保護(hù)電路產(chǎn)生主電源接通/斷開(kāi)信號(hào)MS,強(qiáng)制斷開(kāi)連接輸入電源Vin和電源發(fā)生器(未示出)的主開(kāi)關(guān)。基準(zhǔn)電壓電路130通過(guò)使用第六電阻器R6和第七電阻器R7,基于輸入電源電壓Vin產(chǎn)生最小基準(zhǔn)電壓和最大基準(zhǔn)電壓。將最大基準(zhǔn)電壓輸入到第一比較器122的非反相輸入端(+)以及將最小基準(zhǔn)電壓輸入到第二比較器124的反相輸入端(-)。
第一比較器122通過(guò)將使用穩(wěn)定電路120中的第二齊納二極管ZD2穩(wěn)定的第二節(jié)點(diǎn)n2的第二電壓與最大基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,產(chǎn)生主電源控制信號(hào)PCS。在該示例中,當(dāng)?shù)诙妷盒∮谧畲蠡鶞?zhǔn)電壓時(shí),所產(chǎn)生的主電源控制信號(hào)PCS為高狀態(tài)。第二比較器124通過(guò)將使用穩(wěn)定電路126中的第一齊納二極管ZD1穩(wěn)定的第一節(jié)點(diǎn)n1的第一電壓與最小基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,產(chǎn)生主電源控制信號(hào)PCS。在該示例中,當(dāng)?shù)谝浑妷捍笥谧钚』鶞?zhǔn)電壓時(shí),所產(chǎn)生的主電源控制信號(hào)PCS為高狀態(tài)。將主電源控制信號(hào)PCS傳送至輸出節(jié)點(diǎn)n0,然后通過(guò)使用穩(wěn)定電路132內(nèi)的第三齊納二極管ZD3進(jìn)行穩(wěn)定。因此,生成主電源控制信號(hào)PCS作為主電源接通/斷開(kāi)信號(hào)MS。因此,在最小基準(zhǔn)電壓和最大基準(zhǔn)電壓之間的范圍中,產(chǎn)生高電平的主電源接通/斷開(kāi)信號(hào)MS接通主開(kāi)關(guān)。
然而,在保護(hù)電路中使用的第一、第二和第三齊納二極管ZD1、ZD2和ZD3的導(dǎo)通電壓可能根據(jù)工藝或溫度變化而變化。如圖2所示,這擴(kuò)大了由主電源接通/斷開(kāi)信號(hào)MS控制的最小基準(zhǔn)電壓VLon和最大基準(zhǔn)電壓VHoff之間的范圍,例如VLon1至VHoff1或VLon2至VHoff2。
因此,需要可以精確地控制最小基準(zhǔn)電壓和最大基準(zhǔn)電壓之間的電壓范圍的不規(guī)則電壓檢測(cè)和切斷電路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提出了一種使用帶隙基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路的不規(guī)則電壓檢測(cè)和切斷電路。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,提出了一種不規(guī)則電壓檢測(cè)和切斷電路,監(jiān)測(cè)電源電壓的工作電壓范圍,所述不規(guī)則電壓檢測(cè)和切斷電路包括:帶隙基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路,從電源電壓產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓;基準(zhǔn)電壓發(fā)生器,從電源電壓產(chǎn)生與帶隙基準(zhǔn)電壓相同電壓電平的第一基準(zhǔn)電壓和第二基準(zhǔn)電壓;電壓檢測(cè)器,從電源電壓產(chǎn)生檢測(cè)電壓;以及比較器,通過(guò)將第一和第二基準(zhǔn)電壓與檢測(cè)電壓進(jìn)行比較,產(chǎn)生切斷電源電壓的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。
基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路可以包括:運(yùn)算放大器,其中將帶隙基準(zhǔn)電壓輸入到所述運(yùn)算放大器的非反相輸入端,并且將第一基準(zhǔn)電壓輸入至所述運(yùn)算放大器的反相輸入端;PMOS晶體管,所述PMOS晶體管的柵極與運(yùn)算放大器的輸出相連,所述PMOS晶體管的源極與電源電壓相連,以及所述PMOS晶體管的漏極與第一基準(zhǔn)電壓相連;第一電阻器,連接在第一基準(zhǔn)電壓和第二基準(zhǔn)電壓之間;以及第二電阻器,連接在第二基準(zhǔn)電壓和地電壓之間。
電壓檢測(cè)器可以包括:第三電阻器,連接在電源電壓和檢測(cè)電壓之間;以及第四電阻器,連接在檢測(cè)電壓和地電壓之間。根據(jù)帶隙基準(zhǔn)電壓以及工作電壓范圍內(nèi)的最大電壓,第三和第四電阻器可以具有電阻比
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