[發(fā)明專(zhuān)利]濺射靶、燒結(jié)體及利用它們制造的導(dǎo)電膜、有機(jī)EL元件及其所用的襯底

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810095574.6
• 申請(qǐng)日: 2003-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101260509A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上一吉;川村久幸
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/34;C23C14/08;C04B35/01;H05B33/28;H05B33/22;H05B33/14;H01B5/14;H01L51/52
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司
• 代理人: 熊玉蘭;李平英

1.一種燒結(jié)體，作為成分含有選自氧化銦、氧化鋅、氧化錫的1種以上的金屬，其中，作為第三成分，含有選自氧化鉿、氧化鉭、氧化鉍或鑭系金屬氧化物的至少1種以上的金屬氧化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體，其特征在于，上述第三成分金屬氧化物相對(duì)于權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體的總量的組成比是1-20原子％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)體，其特征在于，上述鑭系金屬氧化物包含選自氧化鈰、氧化釤、氧化銪、氧化鋱的至少1種以上的金屬。

4.一種濺射靶，包含氧化銦合金，所述氧化銦合金是在氧化銦中以0.03-0.3原子％的組成比率含有氧化錫的合金，

其中，作為第三成分，含有選自氧化鈰、氧化釤、氧化銪、氧化鋱或氧化鉍的至少1種以上的金屬氧化物，

上述第三成分金屬氧化物相對(duì)于濺射靶的總量的組成比是1-20原子％。

5.一種濺射靶，其特征在于，具備：加工成平板狀的權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的燒結(jié)體、和在上述燒結(jié)體上貼合的金屬性背板。

6.一種濺射靶，包含氧化銦合金，所述氧化銦合金含有由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的六方層狀化合物(In₂O₃(ZnO)m：其中m是2-20的整數(shù))，

其中，作為第三成分，含有選自氧化鈰、氧化釤、氧化銪、氧化鋱或氧化鉍的至少1種以上的金屬氧化物，

上述第三成分金屬氧化物相對(duì)于濺射靶的總量的組成比是1-20原子％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射靶，其特征在于，意指上述濺射靶中的上述氧化銦含量的In/(In+Zn)式的值是0.5-0.97，其中，在上述式中，In是用原子％表示濺射靶中銦的組成比率的值，Zn是用原子％表示濺射靶中鋅的組成比率的值。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的濺射靶，其特征在于，在上述濺射靶中還含有氧化錫。

9.一種濺射靶，包含氧化銦合金，所述氧化銦合金含有由氧化銦和氧化鋅構(gòu)成的六方層狀化合物(In₂O₃(ZnO)m：其中m是2-20的整數(shù))，

其中，作為第三成分，含有選自氧化鈰、氧化釤、氧化銪、氧化鋱或氧化鉍的至少1種以上的金屬氧化物，

上述第三成分金屬氧化物相對(duì)于濺射靶的總量的組成比是1-20原子％，

并且，用各成分的原子％算出的比率，在In/(In+Zn+Sn)＝0.5-0.95、Zn/(In+Zn+Sn)＝0.03-0.2、Sn/(In+Zn+Sn)＝0.02-0.3的范圍，

其中，上述式中，In是用原子％表示濺射靶中銦的組成比率的值，Zn是用原子％表示濺射靶中鋅的組成比率的值，Sn是用原子％表示濺射靶中錫的組成比率的值。

10.一種透明導(dǎo)電膜，由權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的濺射靶或者燒結(jié)體成膜而成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于，功函數(shù)是5.6eV以上。

12.一種有機(jī)EL元件用襯底，至少包含電極層和基材，其特征在于，該電極層含有選自下述A-1組的至少一種化合物、及選自B-1組的至少一種化合物，

其中，A-1組：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg的硫族化物、氧氮化物或氮化物；

B-1組：鑭系元素的硫族化物、氧氮化物或氮化物。

13.一種有機(jī)EL元件用襯底，至少包含電極層和基材，其特征在于，該電極層含有選自下述A-2組的至少一種化合物、及選自B-2組的至少一種化合物，

其中，A-2組：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg的硫族化物、氧氮化物或氮化物；

B-2組：鑭系元素的硫族化物。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的有機(jī)EL元件用襯底，其特征在于，上述電極層是陽(yáng)極層。

15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的有機(jī)EL元件用襯底，其特征在于，上述電極層是陰極層。

16.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的有機(jī)EL元件用襯底，其特征在于，上述電極層的電阻率值為不足1Ω·cm。