[發明專利]用于增加可用平面表面積的半導體晶片處理方法

有效

• 申請號: 200810095551.5
• 申請日: 2001-11-29
• 公開（公告）號: CN101286449A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 克勞斯·卓安納斯·衛博;安卓·威廉姆·布萊克斯
• 申請（專利權）人: 源太陽能股份有限公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/78;H01L31/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 康建忠

1.一種用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向與所述大致平坦表面成直角的半導體晶片的可用表面積的工藝，所述工藝包括步驟：選擇帶厚度，以將晶片分割為多個帶；選擇一種用于與所述大致平坦表面成某個角度，將晶片切割為所述帶的技術，其中帶厚度與通過進行切割所切掉的晶片的寬度之和小于晶片的厚度；利用選擇的技術，將晶片切割為帶；以及將所述帶互相分離。

2.一種用于處理具有大致平坦表面的半導體晶片，以增加所述晶片的可用平坦表面積的工藝，該工藝包括步驟：

至少部分通過所述晶片，產生多個平行細長溝槽，使得所述溝槽寬度與所述溝槽之間的寬度之和小于所述晶片的厚度，以產生一系列半導體帶；

將所述帶互相分離；以及

確定所述帶的方向，以露出其事先與所述大致平坦表面成一角度的表面，從而形成新平坦表面。

3.一種用于生產硅太陽能電池的工藝，所述工藝包括步驟：

在硅襯底上成型多個平行溝槽，所述溝槽至少部分通過所述襯底延伸以產生一系列硅帶；

將所述帶互相分離；以及

利用所述帶制造太陽能電池。

4.根據權利要求1至3之任一所述的工藝，其中留下晶片外圍周圍的區域不進行切割，以形成邊框，所述帶臨時保持在所述邊框內，然后從邊框切下。

5.根據權利要求1至3之任一所述的工藝，其中利用激光在所述晶片上成型所述溝槽。

6.根據權利要求1至3之任一所述的工藝，其中利用濕式各向異性蝕刻的(110)取向晶片成型所述溝槽。

7.根據權利要求1至3之任一所述的工藝，其中利用切割鋸在所述晶片上成型所述溝槽。

8.根據權利要求1或2所述的工藝，其中所述角度約為90°。

9.根據權利要求1或2所述的工藝，該工藝進一步包括在所述半導體晶片之上或之內至少成型一個互連部分，所述互連部分連接各相鄰帶，以使所述帶之間保持大致恒定的間隙。

10.根據權利要求3所述的工藝，該工藝進一步包括在所述硅襯底上或之內至少成型一個互連部分，所述互連部分連接各相鄰帶，以使所述帶之間保持大致恒定的間隙。

11.根據權利要求9所述的工藝，其中所述互連部分是至少部分通過其一個或者兩個主表面成型的、所述半導體材料的一個或者多個帶，所述互連部分連接到所述多個溝槽確定的每個所述帶。

12.根據權利要求10所述的工藝，其中所述互連部分是至少部分通過其一個或者兩個主表面成型的、所述硅襯底的一個或者多個帶，所述互連部分連接到所述多個溝槽確定的每個所述帶。

13.根據權利要求11所述的工藝，其中所述互連部分垂直于所述多個溝槽確定的所述帶。

14.一種根據權利要求3所述工藝制備的太陽能電池。

15.一種用于降低半導體材料表面的反射率的工藝，該工藝包括：

在所述表面上施加一層保護物質，其中所述層足夠薄，以致有多個孔通過該層；

使所述層和所述半導體材料接觸蝕刻劑，該蝕刻劑蝕刻所述半導體材料的速度比蝕刻所述保護物質的速度快，在所述孔周圍的所述蝕刻劑蝕刻所述半導體材料，但是基本上不蝕刻所述保護物質的條件下，所述蝕刻劑至少通過所述孔與所述半導體材料接觸一段時間。

16.根據權利要求15所述的工藝，其中所述半導體材料是硅，而所述保護物質是氮化硅。

17.根據權利要求16所述的工藝，其中利用低壓化學汽相沉積工藝，對所述表面沉積所述層。

18.根據權利要求15所述的工藝，其中所述層約為2nm厚。