[發(fā)明專利]硅外延片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810095543.0 | 申請(qǐng)日： | 2004-05-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101271870A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | ?？频v章;田中紀(jì)通 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/00 | 分類號(hào)： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硅外延片，具有單晶硅基片，形成于該單晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述單晶硅基片的主表面上的硅外延層，其特征是，從上述單晶硅基片的上述背面延續(xù)到該單晶硅基片的外周部的至少最外緣的外周氧化膜，僅存在于上述外周部的局部上。
2.如權(quán)利要求1所述的硅外延片，其特征是，上述外周氧化膜形成于上述單晶硅基片的外周部的1/4以下的區(qū)域。
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