[發明專利]多端口寄存器堆單元及其制造方法

無效

• 申請號: 200810095323.8
• 申請日: 2008-04-25
• 公開（公告）號: CN101312199A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: J·S·巴恩斯;J·S·阿特瓦爾;K·伯恩斯坦;R·J·巴基
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 于靜;李崢

1.一種多端口寄存器堆單元，包括：

具有多個讀數據位線的至少一個讀包含數據晶片，所述至少一個讀包含數據晶片垂直堆疊在包括存儲基元的晶片上，通過至少一個垂直導電填充的過孔互連所述至少一個讀包含數據晶片與包括所述存儲基元的所述晶片。

2.根據權利要求1的多端口寄存器堆單元，還包括存在于與所述存儲基元相同的晶片內的至少一個寫數據線。

3.根據權利要求1的多端口寄存器堆單元，還包括存在于所述至少一個讀包含數據晶片內的至少一個寫數據線。

4.根據權利要求1的多端口寄存器堆單元，還包括存在于位于所述至少一個讀包含數據晶片之上或之下的其自身晶片內的至少一個寫數據線。

5.根據權利要求2的多端口寄存器堆單元，其中所述至少一個讀包含數據晶片包括：在包括所述存儲基元和所述至少一個寫數據線的所述晶片的頂上的至少一個第一讀包含數據晶片，以及在包括所述存儲基元的所述晶片之下的至少一個其它的讀包含數據晶片。

6.根據權利要求5的多端口寄存器堆單元，其中所述至少一個讀包含數據晶片包含三個讀位線，所述晶片包括2個寫數據線，所述至少一個其它的讀包含數據晶片包括三個讀位線。

7.根據權利要求5的多端口寄存器堆單元，其中所述存儲基元包括真節點和補節點，通過第一導電填充的過孔將所述真節點垂直連接到所述至少一個讀包含數據晶片，而通過第二導電填充的過孔將所述補節點垂直連接到所述至少一個其它的讀包含數據晶片。

8.根據權利要求5的多端口寄存器堆單元，其中所述至少一個讀包含數據晶片包含八個讀位線，所述晶片包括2個寫數據線，所述至少一個其它的讀包含數據晶片包括八個讀位線。

9.根據權利要求1的多端口寄存器堆單元，其中所述至少一個讀包含數據晶片是包括兩個讀位線的單晶片，以及包括所述存儲基元的所述晶片還包括一個寫數據線。

10.根據權利要求1的多端口寄存器堆單元，還包括在所述至少一個讀包含數據晶片和包括所述存儲基元的所述晶片中的每一個中的多個總線宏。

11.一種多端口寄存器堆單元，包括：

具有多個讀數據位線的至少一個第一讀包含數據晶片，其被垂直堆疊在包括存儲基元的晶片之上；以及

具有多個讀數據位線的至少一個第二讀包含數據晶片，其被垂直堆疊在包括所述存儲基元的所述晶片之下，其中通過第一垂直導電填充的過孔互連所述至少一個第一讀包含數據晶片與包括所述存儲基元的所述晶片，以及通過第二垂直導電填充的過孔互連所述至少一個第二讀包含數據晶片與包括所述存儲基元的所述晶片。

12.根據權利要求11的多端口寄存器堆單元，還包括存在于與所述存儲基元相同的晶片內的至少一個寫數據線。

13.根據權利要求11的多端口寄存器堆單元，還包括存在于所述讀包含數據晶片中的一個內的至少一個寫數據線。

14.根據權利要求11的多端口寄存器堆單元，還包括存在于位于所述讀包含數據晶片中的一個之上或之下的其自身晶片內的至少一個寫數據線。

15.根據權利要求12的多端口寄存器堆單元，其中所述至少一個第一讀包含數據晶片包含三個讀位線，包括所述存儲基元的所述晶片包含2個寫數據線，以及所述至少一個第二讀包含數據晶片包括三個讀位線。

16.根據權利要求12的多端口寄存器堆單元，其中所述至少一個第一讀包含數據晶片包含八個讀位線，包括所述存儲基元的所述晶片包含2個寫數據線，以及所述至少一個第二讀包含數據晶片包括八個讀位線。

17.根據權利要求11的多端口寄存器堆單元，其中所述存儲基元包括真節點和補節點。

18.根據權利要求17的多端口寄存器堆單元，其中通過所述第一導電填充的過孔將所述真節點垂直連接到所述至少一個第一讀包含數據晶片，以及通過所述第二導電填充的過孔將所述補節點垂直連接到所述至少一個第二讀包含數據晶片。

19.根據權利要求11的多端口寄存器堆單元，還包括在所述晶片的每一個中的多個總線宏。

20.一種制造多端口寄存器堆單元的方法，包括以下步驟：

在包括存儲基元的晶片上垂直堆疊具有多個讀數據位線的至少一個讀包含數據晶片；以及

通過形成至少一個垂直導電填充的過孔互連所述至少一個讀包含數據晶片與包括所述存儲基元的所述晶片。