[發明專利]圖案化金屬氧化物層的制作方法

無效

• 申請號: 200810094824.4
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN101570854A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 楊明桓;宋兆峰;陳文雋;李裕正;鄭兆凱
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/40;C23C16/02;C23C16/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種圖案化金屬氧化物層的制作方法，包括：

提供基板；

對該基板進行表面改性步驟；

對該基板進行數字打印步驟，于預形成圖案化金屬氧化物層的區域涂布催化劑；以及

進行低溫化學鍍膜步驟，以于該基板上的該區域沉積圖案化金屬氧化物層。

2.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該數字打印步驟為噴墨法。

3.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該催化劑包括金屬離子化合物、納米金屬粒子、納米合金金屬粒子或金屬氧化物粒子。

4.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該低溫化學鍍膜步驟的反應溫度為小于100℃。

5.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該低溫化學鍍膜步驟所使用的還原劑包括醇類、二甲基胺硼烷、抗壞血酸、甲醛或聯氨水合物。

6.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該圖案化金屬氧化物層的材料包括氧化鋅、氧化銦、氧化鉻、氧化錫、四氧化三鐵、氧化錳、氧化銀、氧化鉛、氧化銅、氧化鉈或氧化鈦。

7.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該表面改性步驟為選自由紫外光臭氧處理步驟、等離子體處理步驟、自組裝單層膜處理步驟與聚電解質高分子膜處理步驟所組成的群組。

8.如權利要求7所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該等離子體處理步驟包括常壓等離子體處理步驟、蝕刻等離子體處理步驟或電感耦合等離子體處理步驟。

9.如權利要求7所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該等離子體處理步驟所使用的等離子體源包括臭氧、四氟化碳、六氟化硫、六氟乙烷、八氟丁烷、二氟甲烷或氬氣。

10.如權利要求7所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該自組裝單層膜處理步驟會在該基板上形成單層膜，該單層膜的成分為一端含長煉碳烷類，而另一端含-SH、-OH或-NH的官能基。

11.如權利要求7所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該自組裝單層膜處理步驟包括利用浸泡法、旋轉涂布法、噴墨法、膠版打印法、凸版打印法、凹版打印法或微接觸打印法。

12.如權利要求7所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該聚電解質高分子膜處理步驟會在該基板上形成多層膜。

13.如權利要求7所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該聚電解質高分子膜處理步驟包括利用浸泡法、旋轉涂布法、噴墨法、膠版打印法、凸版打印法、凹版打印法或微接觸打印法。

14.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該基板包括玻璃基板、聚酯基板、有機玻璃纖維基板、可撓性有機玻璃纖維基板、聚亞酰胺基板、硅芯片、聚碳酸酯樹脂基板或環氧樹脂基板。

15.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中在進行該表面處理步驟之前，還包括對該基板進行清潔步驟。

16.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中在形成該圖案化金屬氧化物層之后，還包括進行除水步驟。

17.如權利要求16所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該除水步驟包括利用減低壓力的方式或烘烤的方式。

18.如權利要求1所述的圖案化金屬氧化物層的制作方法，其中該方法應用于氧化物半導體元件工藝、磁性材料圖案化工藝、無源元件的制作或高介電常數材料制作。