[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的晶體管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810093572.3
• 申請(qǐng)日: 2008-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN101335269A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜春守
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

1.一種半導(dǎo)體裝置的晶體管，所述晶體管選自由鎖存晶體管、子字線驅(qū)動(dòng)PMOS晶體管、主字線驅(qū)動(dòng)晶體管、Y解碼器晶體管和YI晶體管組成的群組，所述晶體管包括：

半導(dǎo)體基板，包括由隔離層界定的有源區(qū)，其中所述有源區(qū)位于所述半導(dǎo)體基板的核心區(qū)域中，其中所述核心區(qū)域位于存儲(chǔ)器單元區(qū)域的周圍；

凹入溝槽，僅形成在所述有源區(qū)中且配置成在所述有源區(qū)內(nèi)在所述半導(dǎo)體基板延伸；以及

柵極線，形成為大致上直線圖案，填充所述凹入溝槽，并且配置成以近似直角與所述凹入溝槽交叉。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述隔離層包括虛圖案，所述虛圖案布置在所述柵極線之間的所述隔離層上方。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述凹入溝槽形成為沿Y軸方向的長度大于沿X軸方向的長度的矩形，其中該X軸方向是該柵極線延伸的方向，且該Y軸方向?yàn)榕c該X軸方向垂直的方向。

4.一種半導(dǎo)體裝置的晶體管，所述晶體管選自由鎖存晶體管、子字線驅(qū)動(dòng)PMOS晶體管、主字線驅(qū)動(dòng)晶體管、Y解碼器晶體管和YI晶體管組成的群組，所述晶體管包括：

半導(dǎo)體基板，包括由隔離層界定的有源區(qū)，其中所述有源區(qū)位于所述半導(dǎo)體基板的核心區(qū)域中，其中所述核心區(qū)域位于存儲(chǔ)器單元區(qū)域的周圍；

凹入溝槽，僅形成在所述有源區(qū)中且配置成在所述有源區(qū)內(nèi)在所述半導(dǎo)體基板延伸；

第一柵極線，形成為大致上直線圖案，填充所述凹入溝槽，并且配置成以近似直角與所述凹入溝槽交叉；以及

第二柵極線，填充所述凹入溝槽且配置成與所述第一柵極線隔開預(yù)定距離。

5.如權(quán)利要求4所述的晶體管，其中所述隔離層包括虛圖案，所述虛圖案布置在所述第一柵極線與所述第二柵極線之間的所述隔離層上方。

6.如權(quán)利要求4所述的晶體管，其中所述凹入溝槽形成為沿Y軸方向的長度大于沿X軸方向的長度的矩形，其中該X軸方向是該柵極線延伸的方向，且該Y軸方向?yàn)榕c該X軸方向垂直的方向。

7.一種半導(dǎo)體裝置的晶體管的制造方法，所述晶體管選自由鎖存晶體管、子字線驅(qū)動(dòng)PMOS晶體管、主字線驅(qū)動(dòng)晶體管、Y解碼器晶體管和YI晶體管組成的群組，所述方法包括：

形成隔離層，以在半導(dǎo)體基板的核心區(qū)域中界定有源區(qū)，其中所述核心區(qū)域位于存儲(chǔ)器單元區(qū)域的周圍；

通過蝕刻所述半導(dǎo)體基板至預(yù)定深度，在所述有源區(qū)內(nèi)形成凹入溝槽；以及

以大致上直線圖案形成柵極線，所述柵極線填充所述凹入溝槽并且配置成以近似直角與所述凹入溝槽交叉。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述凹入溝槽包括：

形成光致抗蝕劑層圖案，所述光致抗蝕劑層圖案包括露出所述有源區(qū)的一部分的開口；以及

使用所述光致抗蝕劑層圖案作為掩模，蝕刻露出的部分。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述開口形成為沿Y軸方向的長度大于沿X軸方向的長度的矩形，其中該X軸方向是該柵極線延伸的方向，且該Y軸方向?yàn)榕c該X軸方向垂直的方向。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述開口形成在所述有源區(qū)內(nèi)。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述開口形成為島狀。

12.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述柵極線包括：

在包括所述凹入溝槽的所述半導(dǎo)體基板上方形成用于所述柵極線的堆疊層；

在所述堆疊層上方形成光致抗蝕劑層圖案，所述光致抗蝕劑層圖案配置成大致上直線圖案且以近似直角與所述凹入溝槽交叉，所述堆疊層的一部分被所述光致抗蝕劑層圖案阻擋；以及

使用所述光致抗蝕劑層圖案作為掩模，通過蝕刻所述堆疊層來形成所述柵極線。

13.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括在形成所述柵極線時(shí)，在所述隔離層上方形成虛圖案。