[發(fā)明專利]糾錯(cuò)碼控制器和包括該糾錯(cuò)碼控制器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810092005.6
• 申請(qǐng)日: 2008-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN101256842A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪始勛;李潤(rùn)泰;孔駿鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C29/42
• 分類號(hào): G11C29/42;G11C7/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種快閃存儲(chǔ)器裝置的糾錯(cuò)碼ECC控制器，該快閃存儲(chǔ)器裝置存儲(chǔ)M比特?cái)?shù)據(jù)(M為大于或等于2的整數(shù))，該ECC控制器包括：

第一ECC塊，其根據(jù)第一糾錯(cuò)方法從將要存儲(chǔ)在該快閃存儲(chǔ)器裝置中的程序數(shù)據(jù)產(chǎn)生第一ECC數(shù)據(jù)；以及

第二ECC塊，其根據(jù)第二糾錯(cuò)方法從自該第一ECC塊輸出的該第一ECC數(shù)據(jù)和該程序數(shù)據(jù)產(chǎn)生第二ECC數(shù)據(jù)，該程序數(shù)據(jù)、該第一ECC數(shù)據(jù)以及該第二ECC數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在該快閃存儲(chǔ)器裝置中。

2.如權(quán)利要求1所述的控制器，其中，該第二ECC塊使用該第二糾錯(cuò)方法對(duì)從該快閃存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼，以及該第一ECC塊使用該第一糾錯(cuò)方法對(duì)從該快閃存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼。

3.如權(quán)利要求1所述的控制器，其中，該第一糾錯(cuò)方法為線性塊方法，以及該第二糾錯(cuò)方法為最大似然ML方法。

4.如權(quán)利要求1所述的控制器，其中，該第二ECC塊通過將奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)添加至該程序數(shù)據(jù)和該第一ECC數(shù)據(jù)而產(chǎn)生該第二ECC數(shù)據(jù)。

5.如權(quán)利要求1所述的控制器，其中，該快閃存儲(chǔ)器裝置為NAND快閃存儲(chǔ)器裝置、NOR快閃存儲(chǔ)器裝置、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器PRAM裝置和磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM裝置中的一個(gè)。

6.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

快閃存儲(chǔ)器裝置，其存儲(chǔ)M比特?cái)?shù)據(jù)(M為大于或等于2的正整數(shù))；以及

存儲(chǔ)器控制器，其控制該快閃存儲(chǔ)器裝置，

其中，該存儲(chǔ)器控制器包括ECC控制器，該ECC控制器使用第一糾錯(cuò)方法和第二糾錯(cuò)方法對(duì)將要存儲(chǔ)在該快閃存儲(chǔ)器裝置中的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼。

7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，該第一糾錯(cuò)方法為線性塊方法，以及該第二糾錯(cuò)方法為最大似然ML方法。

8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，該ECC控制器包括：

第一ECC塊，其根據(jù)該線性塊方法從將要存儲(chǔ)在該快閃存儲(chǔ)器裝置中的程序數(shù)據(jù)產(chǎn)生第一ECC數(shù)據(jù)；以及

第二ECC塊，其根據(jù)該最大似然方法從自該第一ECC塊輸出的該第一ECC數(shù)據(jù)和該程序數(shù)據(jù)產(chǎn)生第二ECC數(shù)據(jù)，該程序數(shù)據(jù)、該第一ECC數(shù)據(jù)以及該第二ECC數(shù)據(jù)被同時(shí)存儲(chǔ)在該快閃存儲(chǔ)器裝置中。

9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，該第二ECC塊通過使用在從該快閃存儲(chǔ)器裝置讀取的數(shù)據(jù)中包括的該第二ECC數(shù)據(jù)來糾正從該快閃存儲(chǔ)器裝置讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，并且該第一ECC塊使用在從該第二ECC塊輸出的讀取數(shù)據(jù)中包括的該第一ECC數(shù)據(jù)來糾正該讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。

10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，該第二ECC塊通過將奇偶校驗(yàn)數(shù)據(jù)添加至該程序數(shù)據(jù)和該第一ECC數(shù)據(jù)而產(chǎn)生該第二ECC數(shù)據(jù)。

11.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，該快閃存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)該程序數(shù)據(jù)的第一存儲(chǔ)區(qū)域、以及存儲(chǔ)該第一ECC數(shù)據(jù)和該第二ECC數(shù)據(jù)的第二存儲(chǔ)區(qū)域。

12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，該第一存儲(chǔ)區(qū)域的各個(gè)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)M比特?cái)?shù)據(jù)，并且該第二存儲(chǔ)區(qū)域的各個(gè)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)。

13.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，該存儲(chǔ)器控制器安裝在計(jì)算系統(tǒng)的主板上。

14.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，該快閃存儲(chǔ)器裝置和該存儲(chǔ)器控制器構(gòu)成存儲(chǔ)器卡。

15.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

快閃存儲(chǔ)器裝置，其存儲(chǔ)M比特?cái)?shù)據(jù)(M為大于或等于2的正整數(shù))；以及

存儲(chǔ)器控制器，其控制該快閃存儲(chǔ)器裝置，

其中該存儲(chǔ)器控制器包括：

第一ECC塊，其從將要存儲(chǔ)在該快閃存儲(chǔ)器裝置中的程序數(shù)據(jù)產(chǎn)生CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))值并且輸出第一數(shù)據(jù)樣式；以及

第二ECC塊，其根據(jù)第一糾錯(cuò)方法從該第一數(shù)據(jù)樣式產(chǎn)生第一ECC數(shù)據(jù)并且輸出第二數(shù)據(jù)樣式；以及

第三ECC塊，其根據(jù)第二糾錯(cuò)方法從該第二數(shù)據(jù)樣式產(chǎn)生第二ECC數(shù)據(jù)并且輸出第三數(shù)據(jù)樣式。

16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，該第一糾錯(cuò)方法為線性塊方法，以及該第二糾錯(cuò)方法為最大似然ML方法。