[發明專利]電致發光顯示器件及電子裝置

有效

• 申請號: 200810091988.1
• 申請日: 2000-06-23
• 公開（公告）號: CN101262007A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 小山潤
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/15;H01L23/522;G09G3/30;G09G3/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王小衡

1.一種顯示器，包括：

提供在襯底上的TFT；

提供在所述襯底上的EL元件；和

包括半導體層的電阻，

其中所述EL元件通過至少所述電阻電連接到所述TFT的源極和漏極之一，并且

其中從所述EL元件發出的光的量取決于流過所述EL元件的的直流電流的量而變化。

2.根據權利要求1的顯示器，其中所述TFT是上部柵極(top-gate)晶體管。

3.一種顯示器，包括：

提供在襯底上的第一TFT；

提供在所述襯底上的第二TFT，其中所述第二TFT的柵極電連接到所述第一TFT的源極和漏極之一；

提供在所述襯底上的EL元件；和

包括半導體層的電阻，

其中所述EL元件通過至少所述電阻電連接到所述第二TFT的源極和漏極之一，并且

其中從所述EL元件發出的光的量取決于流過所述EL元件的的直流電流的量而變化。

4.一種顯示器，包括：

提供在襯底上的第一線；

垂直于所述第一線提供的第二線；

平行于所述第二線提供的第三線；

提供在所述襯底上的第一TFT，其中所述第一TFT的柵極電連接到所述第一線，并且所述第一TFT的源極和漏極之一電連接到所述第二線；

提供在所述襯底上的第二TFT，其中所述第二TFT的柵極電連接到所述第一TFT的源極和漏極的另一個，所述第二TFT的源極和漏極之一電連接到所述第三線；

提供在所述襯底上的EL元件；和

包括半導體層的電阻，

其中所述EL元件通過至少所述電阻電連接到所述第二TFT的源極和漏極的所述另一個，并且

其中從所述EL元件發出的光的量取決于流過所述EL元件的的直流電流的量而變化。

5.根據權利要求1，3或4的顯示器，其中所述半導體層包括雜質元素。

6.根據權利要求1，3或4的顯示器，還包括提供在所述半導體層上的光屏敝膜。

7.一種顯示器，包括；

提供在襯底上的第一TFT；

提供在所述襯底上的包括第一半導體層的第二TFT，其中所述第二TFT的柵極電連接到所述第一TFT的源極和漏極之一；

提供在所述襯底上的EL元件；和

包括第二半導體層的電阻，

其中所述EL元件通過至少所述電阻電連接到所述第二TFT的源極和漏極之一，

其中所述第一半導體層和所述第二半導體層被提供在半導體島上，并且

其中從所述EL元件發出的光的量取決于流過所述EL元件的的直流電流的量而變化。

8.根據權利要求7的顯示器，其中所述第一半導體層和所述第二半導體層包括相同的雜質元素。

9.根據權利要求7的顯示器，還包括提供在所述第二半導體層上的光屏蔽膜。

10.根據權利要求3，4或7的顯示器，其中所述第一TFT和所述第二TFT是頂部柵極晶體管。

11.根據權利要求3，4或7的顯示器，其中所述第一TFT和所述第二TFT是n溝道型晶體管。

12.根據權利要求3，4或7的顯示器，其中所述第二TFT的溝道寬度大于所述第一TFT的溝道寬度。

13.根據權利要求1，3，4或7的顯示器，其中所述電阻具有1KΩ到50MΩ的阻抗。

14.根據權利要求1，3，4或7的顯示器，其中所述EL元件是有機EL元件。