[發(fā)明專利]多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810091384.7 | 申請日: | 2002-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN101271861A | 公開(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山本保;綿谷宏文;北田秀樹;堀內(nèi)博志;宮島基守 | 申請(專利權(quán))人: | 富士通株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張龍哺 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 結(jié)構(gòu) 形成 方法 | ||
1.一種多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于,包含:
在層間絕緣膜中形成配線槽的工序;
用金屬層填充上述配線槽的工序;
用化學機械研磨除去上述金屬層中、堆積在上述層間絕緣膜的表面上的部分的工序;
在上述化學機械研磨工序之后,對上述金屬層進行熱處理的工序;
在上述熱處理之后,對上述金屬配線層的表面進行平坦化的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于:用上述金屬層填充上述配線槽的工序,是由用阻擋金屬膜覆蓋上述層間絕緣膜的上主面以及上述配線槽的表面的工序、和將上述金屬層堆積在上述阻擋金屬膜上的工序構(gòu)成;上述化學機械研磨工序是將上述層間絕緣膜上的上述阻擋金屬膜作為制止膜來執(zhí)行的。
3.如權(quán)利要求1所述的多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于:上述熱處理工序,是以在上述金屬配線層中產(chǎn)生應(yīng)力緩和的溫度執(zhí)行。
4.如權(quán)利要求1所述的多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于:上述熱處理溫度在250℃或其以上的溫度下執(zhí)行。
5.如權(quán)利要求1所述的多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于:上述平坦化工序是由另一個化學機械研磨工序構(gòu)成,該另一個化學機械研磨工序?qū)ι鲜鼋饘賹訄?zhí)行直到露出上述層間絕緣膜的上主面的處理。
6.如權(quán)利要求1所述的多層配線結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于:用上述金屬層填充上述配線槽的工序,是由用阻擋金屬膜覆蓋上述層間絕緣膜的上主面以及上述配線槽的表面的工序、和將上述金屬層堆積在上述阻擋金屬膜上的工序構(gòu)成;上述化學機械研磨工序,是將上述層間絕緣膜上的上述阻擋金屬膜作為制止膜來執(zhí)行;上述平坦化工序,是由另一個化學機械研磨工序,即對上述金屬層以及上述阻擋金屬膜進行研磨直到露出上述層間絕緣膜的上述上主面的工序構(gòu)成。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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