[發明專利]具有交換耦合的磁層和改進的耦合層的垂直磁記錄介質

無效

• 申請號: 200810088417.2
• 申請日: 2008-03-26
• 公開（公告）號: CN101335016A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發明（設計）人: 安德烈亞斯·K·伯杰;卞曉平;馬里·F·米納迪;高野賢太郎;唐凱
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波

1.一種垂直磁記錄介質，包括：

基底；

在該基底上且具有自平面向外的易磁化軸的第一鐵磁層；

在該第一鐵磁層上的具有自平面向外的易磁化軸的第二鐵磁層；以及

該第一鐵磁層和該第二鐵磁層之間的且允許該第一鐵磁層與該第二鐵磁層的鐵磁耦合的耦合層，該耦合層由自以下組選出的材料形成，所述組包括：(a)包括Ni和Cr的合金；(b)包括Ru和Cr的合金；(c)實質上包括僅Co和Cr的合金，其中Cr以大于約25原子百分比的量存在；(d)實質上包括僅Co、Cr和B的合金，其中Cr加B的組合含量以大于約25原子百分比的量存在；以及(e)包括Ru、Co和Cr的合金，其中Co以小于約65原子百分比的量存在。

2.如權利要求1的介質，其中該耦合層包括一合金，該合金實質上包括僅Ni和Cr，其中Cr以大于約8原子百分比的量存在。

3.如權利要求2的介質，其中該耦合層具有約0.3至2.5nm范圍內的厚度。

4.如權利要求1的介質，其中該耦合層包括一合金，該合金實質上包括僅Ru和Cr，其中Cr以大于約20原子百分比的量存在。

5.如權利要求4的介質，其中該耦合層具有約0.3至2nm范圍內的厚度。

6.如權利要求1的介質，其中該耦合層包括一合金，該合金實質上包括僅Co和Cr，且該耦合層具有約0.3至2.5nm范圍內的厚度。

7.如權利要求1的介質，其中該耦合層包括一合金，該合金實質上包括僅Co、Cr和B，且該耦合層具有約0.3至2.5nm范圍內的厚度。

8.如權利要求1的介質，其中該耦合層是包括Ru、Co和Cr的合金，且具有約0.3至2nm范圍內的厚度。

9.如權利要求1的介質，其中該第一和第二鐵磁層中的每一個具有各向異性場，且其中所述第一和第二鐵磁層之一的該各向異性場是所述第一和第二鐵磁層中的另一個的該各向異性場的至少70％。

10.如權利要求1的介質，其中所述第一和第二鐵磁層中的至少一個是顆粒多晶鈷合金。

11.如權利要求10的介質，其中所述第一和第二鐵磁層中的所述至少一個還包括Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一種或更多種的氧化物。

12.如權利要求1的介質，其中所述第一和第二鐵磁層中的每一個是自Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多層構成的組中選出的多層。

13.如權利要求1的介質，其中該耦合層是第一耦合層，且該介質還包括第三鐵磁層、以及在該第二鐵磁層和該第三鐵磁層之間允許該第三鐵磁層與該第二鐵磁層的鐵磁耦合的第二耦合層，該第二耦合層具有與所述第一耦合層基本相同的成分。

14.如權利要求1的介質，其中該第二鐵磁層是包括Co、Pt、Cr和B的合金。

15.如權利要求14的介質，其中該第一鐵磁層還包括Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一種或更多種的氧化物。

16.如權利要求14的介質，其中該第二鐵磁層包括含量在約10和16原子百分比之間的Cr、含量在約15和21原子百分比之間的Pt、以及含量在約4和11原子百分比之間的B。

17.如權利要求16的介質，其中該第一鐵磁層還包括Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一種或更多種的氧化物。