[發明專利]可減小非阱區結的區域面積的封閉晶胞陣列結構

無效

• 申請號: 200810087647.7
• 申請日: 2008-03-25
• 公開（公告）號: CN101546764A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 許修文
• 申請（專利權）人: 聯笙電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/105
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種可減小非阱區結的區域面積的封閉晶胞陣列結構，包含有：

多個封閉單元晶胞，排列于同一平面，該多個封閉單元晶胞的每一封閉單元晶胞為多邊形；以及

多個柵極窗，分別形成于該多個封閉單元晶胞的柵極層中每一封閉單元晶胞的一角，該多個柵極窗中未注入源極離子材料。

2.如權利要求1所述的封閉晶胞陣列結構，其中該多個柵極窗的每一柵極窗與非柵極區于阱區離子注入與擴散步驟時形成阱區結。

3.如權利要求1所述的封閉晶胞陣列結構，其中該該多個柵極窗的每一柵極窗是透過掩模形成。

4.如權利要求1所述的封閉晶胞陣列結構，其中該多個封閉單元晶胞的每一封閉單元晶胞為四邊形。

5.如權利要求1所述的封閉晶胞陣列結構，其中該多個封閉單元晶胞的每一封閉單元晶胞為六邊形。

6.如權利要求1所述的封閉晶胞陣列結構，其用于功率金氧半場效晶體管。