[發明專利]真空滅弧室有效
| 申請號： | 200810087599.1 | 申請日： | 2008-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN101290846A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發明（設計）人： | 李在杰 | 申請（專利權）人： | LS產電株式會社 |
| 主分類號： | H01H33/664 | 分類號： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 北京金信立方知識產權代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空 滅弧室 | ||
1.一種真空滅弧室，其特征在于，包括，
陶瓷絕緣外殼，所述陶瓷絕緣外殼具備與外側相連的上部導體和與外側相連的下部導體；在所述絕緣外殼的外表面成形的釉層；在所述釉層的外表面涂布硅烷偶聯劑而形成的硅烷偶聯劑層；在所述硅烷偶聯劑層的外表面成形的環氧樹脂絕緣層，
所述硅烷偶聯劑層與所述釉層以及所述環氧樹脂絕緣層進行化學結合。
2.一種真空滅弧室，其特征在于，包括，
陶瓷絕緣外殼，所述陶瓷絕緣外殼具備與外側相連的上部導體和與外側相連的下部導體；在所述絕緣外殼的外表面成形的釉層；對所述釉層的外表面進行噴砂處理而形成的突起層；在所述突起層的外表面涂布硅烷偶聯劑而形成的硅烷偶聯劑層；在所述硅烷偶聯劑層的外表面成形的環氧樹脂絕緣層，
所述硅烷偶聯劑層與所述釉層以及所述環氧樹脂絕緣層進行化學結合。
3.根據權利要求1或2所述的真空滅弧室，其特征在于，在所述陶瓷絕緣外殼的所述上部導體以及下部導體的外表面上，涂布所述硅烷偶聯劑。
4.根據權利要求1或2所述的真空滅弧室，其特征在于，所述硅烷偶聯劑是用以下的化學式1表示的化合物，
[化學式1]
R-(CH2)n-Si-X3
在所述化學式1中，R為具有反應基的、碳數為1～15的脂肪族或芳香族的烴基；n是1～10的整數；X是碳數為1～15的脂肪族或芳香族的烷氧基。
5.根據權利要求1或2所述的真空滅弧室，其特征在于，所述環氧樹脂絕緣層含有作為尺寸穩定劑的二氧化硅。
6.一種真空滅弧室的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
準備陶瓷絕緣外殼的工序；
在所述陶瓷絕緣外殼的外表面進行釉處理，從而形成釉層的工序；
在所述釉層的外表面上涂布硅烷偶聯劑，從而形成硅烷偶聯劑層的工序；
在所述硅烷偶聯劑層的外表面上，成形環氧樹脂絕緣層的工序。
7.一種真空滅弧室的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
準備陶瓷絕緣外殼的工序；
在所述陶瓷絕緣外殼的外表面進行釉處理，從而形成釉層的工序；
對所述釉層的外表面進行噴砂處理，從而形成突起層的工序；
在所述突起層的外表面上涂布硅烷偶聯劑，從而形成硅烷偶聯劑層的工序；
在所述硅烷偶聯劑層的外表面上，成形環氧樹脂絕緣層的工序。
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