[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810086794.2
• 申請日: 2008-03-26
• 公開（公告）號: CN101276840A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山崎舜平;須沢英臣;笹川慎也;倉田求
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 岳耀鋒

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

形成在絕緣表面上的半導(dǎo)體層；

形成在所述半導(dǎo)體層上的第一絕緣層；

形成在所述第一絕緣層上的柵電極；

形成在所述柵電極上的第二絕緣層；以及

形成在所述第二絕緣層上的導(dǎo)電層，

其中，所述導(dǎo)電層通過第一開口和第二開口連接到所述半導(dǎo)體層，

所述第一開口至少形成在所述第二絕緣層中，

所述第一開口到達所述半導(dǎo)體層，

所述第二開口至少形成在所述半導(dǎo)體層中，

所述第二開口到達所述絕緣表面，且

所述第二開口的俯視面積小于所述第一開口的俯視面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述半導(dǎo)體層的側(cè)面設(shè)置有絕緣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體層包括硅化物區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體層的厚度為10nm至30nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一開口還形成在所述第一絕緣層中。

6.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

形成在襯底上的第一絕緣層；

形成在所述第一絕緣層上且具有絕緣表面的第二絕緣層；

形成在所述絕緣表面上的半導(dǎo)體層；

形成在所述半導(dǎo)體層上的第三絕緣層；

形成在所述第三絕緣層上的柵電極；

形成在所述柵電極上的第四絕緣層；以及

形成在所述第四絕緣層上的導(dǎo)電層，

其中，所述導(dǎo)電層通過第一開口和第二開口連接到所述半導(dǎo)體層，

所述第一開口至少形成在所述第四絕緣層中，

所述第一開口到達所述半導(dǎo)體層，

所述第二開口至少形成在所述半導(dǎo)體層及所述第二絕緣層中，

所述第二開口到達所述第一絕緣層，且

所述第二開口的俯視面積小于所述第一開口的俯視面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中絕緣體設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的側(cè)面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體層包括硅化物區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體層的厚度為10nm至30nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一開口還形成在所述第三絕緣層中。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟：

在絕緣表面上形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成柵電極；

在所述柵電極上形成第二絕緣層；

至少在所述第二絕緣層中形成第一開口，其中所述第一開口到達所述半導(dǎo)體層；

至少在所述半導(dǎo)體層中形成第二開口，其中所述第二開口到達所述絕緣表面；以及

在所述第二絕緣層上形成導(dǎo)電層，

其中，所述導(dǎo)電層通過所述第一開口和所述第二開口連接到所述半導(dǎo)體層，且

所述第二開口的俯視面積小于所述第一開口的俯視面積。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在所述半導(dǎo)體層的側(cè)面設(shè)置絕緣體。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述半導(dǎo)體層包括硅化物區(qū)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述半導(dǎo)體層的厚度為10nm至30nm。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一開口還形成在所述第一絕緣層中。