[發明專利]內嵌存儲器裝置及制程方法

有效

• 申請號: 200810086334.X
• 申請日: 2008-03-24
• 公開（公告）號: CN101546763A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 黃名彥;吳文宏
• 申請（專利權）人: 揚智科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/105;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種內嵌存儲器裝置，其特征在于，該內嵌存儲器裝置包括：

一核心電路，該核心電路外圍依序以一接地環與一電壓源環環繞；

一晶體管電容，位于所述的核心電路的電壓源環及接地環下方，鏈接于該電壓源環及該接地環，且與所述的核心電路并聯；及

一金屬夾成電容，位于所述的核心電路上方，鏈接于所述的電壓源環及接地環，且與所述的核心電路及晶體管電容并聯；

藉此，通過所述的晶體管電容與所述的金屬夾成電容以增加所述的電壓源的穩定度。

2.如權利要求1所述的內嵌存儲器裝置，其特征在于，該內嵌存儲器裝置還包括：

一離子注入層；

一多晶硅層，布局于所述的離子注入層上；

一第一金屬層，布局于所述的多晶硅層上；

一第二金屬層，布局于所述的第一金屬層上；

一第三金屬層，布局于所述的第二金屬層上；

一第四金屬層，布局于所述的第三金屬層上；

一第五金屬層，布局于所述的第四金屬層上；

一特定金屬層，布局于所述的第五金屬層上；

一第六金屬層，布局于所述的第五金屬層上；

其中，所述的核心電路是利用所述的離子注入層、所述的多晶硅層、所述的第一金屬層、所述的第二金屬層、所述的第三金屬層、所述的第四金屬層堆棧而成；

所述的金屬夾成電容是由所述的第五金屬層、所述的特定金屬層及所述的第六金屬層所構成。

3如權利要求2所述的內嵌存儲器裝置，其特征在于，其中所述的電壓源環與所述的接地環形成于所述的第四金屬層。

4.如權利要求2所述的內嵌存儲器裝置，其特征在于，其中所述的晶體管電容是通過所述的離子注入層、所述的多晶硅層與所述的第一金屬層所形成，且設計于所述的電壓源環及所述的接地環下方的一額外空間。

5.一種內嵌存儲器的制程方法，其特征在于，該方法包括：

依序形成一離子注入層、一多晶硅層及一第一金屬層；

于形成所述的離子注入層、所述的多晶硅層及所述的第一金屬層的同時形成一晶體管電容；

依序形成一第二金屬層、一第三金屬層及一第四金屬層于所述的第一金屬層之上；

形成一接地環及一電壓源環于所述的第四金屬層；

依序形成一第五金屬層于所述的第四金屬層上、一特定金屬層于所述的第五金屬層上及一第六金屬層形成于所述的特定金屬層上；及

通過所述的第五金屬層、所述的特定金屬層及所述的第六金屬層以構成一金屬夾成電容。

6.如權利要求5所述的內嵌存儲器的制程方法，其特征在于，其中所述的晶體管電容設計于所述的電壓源環及所述的接地環下方的一額外空間。

7.如權利要求5所述的內嵌存儲器的制程方法，其特征在于，其中所述的特定金屬層接近于所述的第五金屬層。