[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810086241.7 | 申請日： | 2008-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN101477978A | 公開（公告）日： | 2009-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡方文;王冠程;林耕竹;林志隆;鄭雙銘 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/532 | 分類號： | H01L23/532;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 陳 晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
一半導(dǎo)體襯底；
一第一介電層，形成于該半導(dǎo)體襯底上，且介電常數(shù)不大于2.5；以及
一第二介電層，形成于該半導(dǎo)體襯底與該第一介電層之間，且介電常數(shù)不大于2.5；
其中該第一介電層對于一既定波長下的紫外光具有一第一折射率，該第二介電層對于該既定波長下的紫外光具有一第二折射率，且該第一折射率大于該第二折射率。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一介電層為多孔性SiCO基介電材料。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第二介電層為多孔性SiCO基介電材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一蝕刻終止層，設(shè)置于該第二介電層與該半導(dǎo)體襯底之間。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一四乙基硅酸鹽氧化層，設(shè)置于該第二介電層與該蝕刻終止層之間。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
一半導(dǎo)體襯底，包括形成于其內(nèi)的一導(dǎo)電區(qū)；
一蝕刻終止層，形成于該半導(dǎo)體襯底上；
一第一介電層，形成于該蝕刻終止層上，且介電常數(shù)不大于2.5；
一第二介電層，形成于該蝕刻終止層與該第一介電層之間，且介電常數(shù)不大于2.5；以及
一雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，形成于該第一介電層及該第二介電層內(nèi)，且電性連接至該半導(dǎo)體襯底內(nèi)的該導(dǎo)電區(qū)；
其中該第一介電層對于一既定波長下的紫外光具有一第一折射率，該第二介電層對于該既定波長下的紫外光具有一第二折射率，且該第一折射率大于該第二折射率。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一四乙基硅酸鹽氧化層，設(shè)置于該第二介電層與該蝕刻終止層之間。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
一半導(dǎo)體襯底，包括形成于其內(nèi)的一導(dǎo)電區(qū)；
一蝕刻終止層，形成于該半導(dǎo)體襯底上；
一介電層，形成于該蝕刻終止層上，且介電常數(shù)不大于2.5；
一氣隙，形成于該蝕刻終止層與該介電層之間；以及
一雙鑲嵌結(jié)構(gòu)，形成于該介電層及該氣隙內(nèi)，且電性連接至該半導(dǎo)體襯底內(nèi)的該導(dǎo)電區(qū)；
其中該介電層的折射率大于1.0。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，還包括一四乙基硅酸鹽氧化層，設(shè)置于該氣隙與該蝕刻終止層之間。
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