[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810086076.5
• 申請日: 2008-03-14
• 公開（公告）號: CN101299419A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: L·A·克萊文格;M·E·科爾伯恩;D·C·埃德爾斯坦;S·波諾斯;G·布雷塔
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成腔的方法，包括以下步驟：

在所述半導(dǎo)體器件的第一介質(zhì)層內(nèi)形成開放的腔，所述第一介質(zhì)層具有在其上設(shè)置的氧化物層，所述氧化物層具有頂表面，并且所述開放的腔具有內(nèi)表面；

在所述氧化物層上淀積抗成核層，由此所述抗成核層粘附到所述開放的腔的所述內(nèi)表面；

從所述第一介質(zhì)層的所述頂表面去除所述抗成核層，由此所述抗成核層保留在所述開放的腔的所述內(nèi)表面上；以及

在所述半導(dǎo)體器件上淀積第二介質(zhì)層，由此形成密封的腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中淀積抗成核層的所述步驟包括淀積DLC層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中淀積所述DLC層的所述步驟包括淀積具有10到200埃的厚度的DLC層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用濺射淀積工具進行從所述氧化物層的所述頂表面去除所述抗成核層的所述步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用旋涂技術(shù)進行在所述氧化物層上淀積抗成核層的所述步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用化學溶液淀積進行在所述氧化物層上淀積抗成核層的所述步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用化學氣相淀積進行在所述氧化物層上淀積抗成核層的所述步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用等離子體增強化學氣相淀積進行在所述氧化物層上淀積抗成核層的所述步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用等離子體蝕刻方法進行從所述氧化物層的所述頂表面去除所述抗成核層的所述步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用反應(yīng)離子蝕刻方法進行從所述氧化物層的所述頂表面去除所述抗成核層的所述步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用離子束銑方法進行從所述氧化物層的所述頂表面去除所述抗成核層的所述步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述半導(dǎo)體器件上淀積第二介質(zhì)層的所述步驟包括淀積選自SiO₂、SiOF、SiCOH、SiC、SiCN、或其多孔形式的介質(zhì)的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中淀積抗成核層的所述步驟包括淀積選自SiO₂、SiOF、SiCOH、SiC、以及SiCN的抗成核層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中淀積抗成核層的所述步驟包括淀積選自GeO₂、GeC以及GeCN的抗成核層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中淀積抗成核層的所述步驟包括淀積非晶碳層。

16.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層包括設(shè)置在其上的多個腔，所述多個腔中的每一個具有內(nèi)表面；

所述多個腔中的每一個包括在所述腔的所述內(nèi)表面上設(shè)置的抗成核層；以及

第二介質(zhì)層，設(shè)置在所述第一介質(zhì)層之上，由此密封每一個所述腔。

17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中所述抗成核層包括DLC。

18.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中所述抗成核層包括選自GeO₂、GeC以及GeCN的材料。

19.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中所述抗成核層包括選自SiO₂、SiOF、SiCOH、SiC、以及SiCN的材料。

20.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中所述抗成核層包括非晶碳。