[發明專利]使用攪亂地址數據的存儲系統和方法

無效

• 申請號: 200810085654.3
• 申請日: 2008-01-04
• 公開（公告）號: CN101241758A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 權五錫;李城秀;邊大錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G06F12/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

技術領域

本發明總體上涉及半導體存儲設備。更具體地說，本發明涉及使用攪亂(scramble)地址數據的方法操作的存儲系統。

背景技術

閃存設備是一種電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)，其中使用單個存儲系統操作擦除或編程多個存儲區域。其他類型的EEPROM僅僅允許由單一存儲系統操作擦除或編程單個存儲區域。因此，包含閃存的存儲系統比起使用其他類型EEPROM的存儲系統享有更高的操作性能。然而，如同其他類型的EEPROM，形成閃存的構成存儲單元會由于與隔離電荷存儲組件的電介質相關的磨損而經過特定次數的擦除/編程操作之后變得老化。

閃存在其操作特性上是非易失性的。因此，在不提供電源時能保持存儲的數據。閃存同時提供對物理影響的良好免役性和較快的數據訪問速度。由于這些屬性，閃存廣泛地應用于不使用電池的便攜式電子設備。當前，閃存有兩種類型：NOR閃存和NAND閃存——它們的區別在于關于存儲單元使用的邏輯門的特性。

可以使用每個存儲單元存儲一位信息(SBC)的存儲單元或每個存儲單元存儲多位信息(MBC)的存儲單元的存儲單元陣列實施閃存。

圖1是常規NAND閃存設備的相關部分的框圖。

參見圖1，閃存設備的示例部分包括存儲單元陣列10、行選擇器(下文，“X-選擇器”)20和數據寄存器以及讀出放大器(S/A)30。使用標識為MB0至MB(m-1)的多個存儲塊實施存儲單元陣列10。為了便于當前討論，假設多個存儲塊MB0至MB(m-1)中的每一個在結構上基本類似。多個存儲塊MB0至MB(m-1)中的每個適用于存儲2N位數據，其中N是大于或等于1的正整數。X-選擇器20響應所接收的行地址，選擇多個存儲塊MB0至MB(m-1)之一(例如，隨后的討論中選擇MB0)和在所選存儲塊中的一條字線。S/A?30通過位線連接到所選存儲塊，并在編程操作期間用作寫驅動以及在讀操作期間用作讀出放大器。

圖2是進一步圖解說明圖1所示的所選存儲塊MB0部分以及S/A?30的對應部分的框圖。

參見圖2，所選存儲塊MB0包括分別連接到多條位線之一的多個串11。這里，只示出了單個奇/偶位線對(BLe0和Blo0)，本領域技術人員可以理解許多位線或奇/偶位線對能用于實施所選存儲塊MB0。多個串11中的每一串包括串選擇晶體管SST、地線選擇晶體管GST以及配置在串選擇晶體管SST和地線選擇晶體管GST之間的多個串接存儲單元MC31至MC0。串11中的串選擇晶體管SST一起連接至由X-選擇器20控制的串選擇行SSL。串11中的地線選擇晶體管GST一起連接至由X-選擇器20控制的地線選擇線GSL。串11中的多個串接存儲單元MC31-MC0分別連接至由X-選擇器20控制的對應字線WL31至WL0。

S/A?30包括連接到位線對Ble0和Blo0的位線選擇器31以及相關寄存器32。位線選擇器31選擇位線對Ble0和Blo0之一并電連接所選位線和寄存器32。寄存器32根據當前編程操作指定的編程數據向所選位線施加編程電壓(例如，地線電壓)或編程禁止電壓(例如，電源電壓)。寄存器32在當前讀操作期間通過所選位線檢測在多個存儲單元中的一個或多個存儲單元中存儲的數據。雖然未在圖2中所示，其他位線對使用類似結構分別連接至對應寄存器。

假設每條字線與兩頁(2P)(即，奇數頁和偶數頁)相關，以及每個串接的存儲單元存儲2位數據(2B)，以及多個存儲塊的每個存儲塊包括32條字線(32WL)，則每個存儲塊包括128頁(32WL*2P*2B)。

進一步假設行地址包括選擇期望的存儲塊的塊地址和在所選存儲塊中選擇一個或多個頁的頁地址，則必須用7位地址(下文，稱為“第一行地址”)選擇128頁中的每一頁。進一步假設存儲單元陣列10中的1024個存儲塊，必須用10位地址(下文，稱為“第二行地址”)選擇1024個存儲塊之一。

因此，地址編碼必須選擇一個存儲塊中的所有頁，并然后選擇下個存儲塊中的頁。例如，如圖3A所示，使用7位第一地址A12至A18在每個存儲塊中的128頁之間選擇，以及使用多個第二地址位A19至Ai在存儲塊之間選擇。當7位第一地址是0000000時，在所選存儲塊中選擇第一頁0P。當7位第一地址是1111111時，在所選存儲塊內選擇最后一頁127P。