[發(fā)明專利]高純度多晶硅的制造裝置及制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810084016.X
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101311113A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 并木伸明
• 申請（專利權(quán)）人: 智索株式會社
• 主分類號: C01B33/033
• 分類號: C01B33/033;C30B29/06;C30B28/14
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種高純度多晶硅的制造裝置，其特征在于包括：

氯化硅的氣化裝置；

鋅熔融蒸發(fā)裝置；

立式反應(yīng)器，外周面具備加熱機(jī)構(gòu)；

氯化硅氣體供給噴嘴，以連接在所述氯化硅的氣化裝置和所述立式反 應(yīng)器之間的方式配置，將所述氯化硅的氣化裝置提供的氯化硅氣體供應(yīng)到 所述立式反應(yīng)器內(nèi)；

鋅氣體供給噴嘴，以連接在所述鋅熔融蒸發(fā)裝置和所述立式反應(yīng)器之 間的方式配置，將所述鋅熔融蒸發(fā)裝置提供的鋅氣體供應(yīng)到所述立式反應(yīng) 器內(nèi)；以及

排氣抽出管，與所述立式反應(yīng)器相連接，

所述鋅熔融蒸發(fā)裝置包括：

蒸發(fā)器；

主縱筒部，與所述蒸發(fā)器的上部相連接；

固態(tài)物分離管，插入到所述主縱筒部的內(nèi)部；

鋅導(dǎo)入用管，傾斜地與所述固態(tài)物分離管相連接；

密封罐，以圍繞所述固態(tài)物分離管的下端開口部的方式配置，且構(gòu)成 所述固態(tài)物分離管的底面；

感應(yīng)加熱裝置，安裝在所述主縱筒部的外周面且可調(diào)節(jié)溫度；以及

氣體排放用管，與所述蒸發(fā)器的側(cè)壁相連接，

所述密封罐經(jīng)由間隔件而安裝在所述固態(tài)物分離管的外周面與所述密 封罐的內(nèi)周面之間，或經(jīng)由所述間隔件而安裝在所述密封罐的外周面與所 述主縱筒部的內(nèi)周面之間，

在熔融所述密封罐內(nèi)的鋅的時候，能通過所述間隔件的使用使熔融鋅 從所述密封罐與所述固態(tài)物分離管之間向所述密封罐外流出。

2.如權(quán)利要求1所述的高純度多晶硅的制造裝置，其特征在于：

在所述蒸發(fā)器的外側(cè)安裝著均熱強(qiáng)化材料。

3.如權(quán)利要求1所述的高純度多晶硅的制造裝置，其特征在于：

在所述密封罐的上部開口緣上形成著切口槽。

4.如權(quán)利要求1所述的高純度多晶硅的制造裝置，其特征在于：

在所述固態(tài)物分離管及所述主縱筒部上分別連接著惰性氣體導(dǎo)入管。

5.一種高純度多晶硅的制造方法，其使用權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利 要求所述的高純度多晶硅的制造裝置，其特征在于：

從氯化硅氣體供給噴嘴及所述鋅氣體供給噴嘴，向所述立式反應(yīng)器內(nèi) 分別提供氯化硅氣體和鋅氣體，

利用氯化硅氣體與鋅氣體的反應(yīng)，在氯化硅氣體供給噴嘴的前端部， 朝向下方生成凝聚為大致呈現(xiàn)管狀的多晶硅。