[發(fā)明專利]增加非揮發(fā)性存儲(chǔ)器除錯(cuò)能力的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810083611.1
• 申請(qǐng)日: 2008-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101533676A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳遠(yuǎn)寧;黃界樫;王長(zhǎng)鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 凌陽(yáng)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/42
• 分類號(hào): G11C29/42;G11C16/06
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 沙 捷

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)媒體的除錯(cuò)技術(shù)，且特別涉及一種增加非揮 發(fā)性存儲(chǔ)器除錯(cuò)能力的方法。

背景技術(shù)

隨著信息時(shí)代的來(lái)臨，人們經(jīng)常需要使用與處理身邊周遭的相關(guān) 信息。為了順應(yīng)這個(gè)趨勢(shì)，在許多電子產(chǎn)品中，都需要配置一定容量 的存儲(chǔ)器，而其中一種可用于長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)者為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。

一般來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器是由許多的存儲(chǔ)胞(memory?cell)所建構(gòu)而成。 當(dāng)存儲(chǔ)器的容量越大，也就代表著存儲(chǔ)胞的數(shù)量越多，相對(duì)的存儲(chǔ)器 的成本也隨著增加。因此，為了縮小存儲(chǔ)器所需要的電路面積，于是 提出一種多層存儲(chǔ)胞與非門型閃存(multi?level?cell?NAND?flash? memory)。這種多層存儲(chǔ)胞與非門型閃存的特點(diǎn)是利用不同的電位來(lái)存 儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此可以達(dá)到一個(gè)存儲(chǔ)胞存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)的目的，而借此大幅 節(jié)省電路面積。然而，這種多層存儲(chǔ)胞與非門型閃存的缺點(diǎn)為，經(jīng)過(guò) 多次的存取后，存儲(chǔ)胞所存儲(chǔ)的信息會(huì)被改變，而造成信息的漏失(data? loss)。

為了解決上述的信息漏失的問(wèn)題，通常在多層存儲(chǔ)胞與非門型閃 存上，都會(huì)存儲(chǔ)有除錯(cuò)碼(error?correction?code，ECC)以對(duì)多層存儲(chǔ)胞 與非門型閃存所存儲(chǔ)的信息做除錯(cuò)的動(dòng)作。而這種除錯(cuò)碼的產(chǎn)生有很 多種方法，其中最常被采用的方法為BCH(Bose，Ray-Chaudhuri， Hocquenghem)碼以及RS(Reed-Solomon)碼。

然而，不管使用何種方式來(lái)產(chǎn)生錯(cuò)誤檢查碼，錯(cuò)誤檢查碼的字節(jié) 數(shù)將會(huì)是決定除錯(cuò)能力的因素。以下請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1繪示現(xiàn)有的多層 存儲(chǔ)胞與非門型閃存的一個(gè)分頁(yè)的存儲(chǔ)器配置情形示意圖。分頁(yè) (page)100的存儲(chǔ)器容量為2112字節(jié)，并且被區(qū)分為4個(gè)使用者數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)區(qū)111～114、4個(gè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)121～124，以及4個(gè)除錯(cuò)碼數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)區(qū)131～134。其中，使用者數(shù)據(jù)區(qū)111～114皆為512字節(jié)，系統(tǒng) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)121～124皆為3字節(jié)，而除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)131～134則皆 是13字節(jié)。在此分頁(yè)100中，由于所有的除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)131～134 皆是13字節(jié)，若以BCH碼的方式來(lái)產(chǎn)生除錯(cuò)碼，此時(shí)可以除錯(cuò)的位 數(shù)僅為固定的32位。

發(fā)明內(nèi)容

為了在固定的存儲(chǔ)空間下，有效地增加非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的除錯(cuò)能 力，本發(fā)明的增加非揮發(fā)性存儲(chǔ)器除錯(cuò)能力的方法，可藉由增加除錯(cuò) 碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)空間，以增加對(duì)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的除錯(cuò)能力。

本發(fā)明提出一種增加非揮發(fā)性存儲(chǔ)器除錯(cuò)能力的方法，其中非揮 發(fā)性存儲(chǔ)器具有多個(gè)分頁(yè)，而每一分頁(yè)具有多個(gè)使用者數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)及 多個(gè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)與多個(gè)除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，每一使用者數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 區(qū)分別與其各自相應(yīng)的一個(gè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)及一個(gè)除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū) 相對(duì)應(yīng)。此方法包括下列步驟：首先，保留這些分頁(yè)中一第一分頁(yè)的 一第一系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的所有信息；接著，釋放所述第一分頁(yè)的一第 二系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)中除了部分信息以外的存儲(chǔ)空間或所有的存儲(chǔ)空間 給其相應(yīng)的除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，借以增加與第二系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)相應(yīng) 的除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)空間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)至少存儲(chǔ) 著第一分頁(yè)所隸屬的第一區(qū)塊的邏輯地址(logic?address)對(duì)應(yīng)信息及 第一區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊的信息。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)所保留的該 部分信息為第一區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊的信息。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)所釋放的存 儲(chǔ)空間為存儲(chǔ)第一區(qū)塊的邏輯地址對(duì)應(yīng)信息所占用的存儲(chǔ)空間。

此外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述與第一系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)相應(yīng) 的除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)以及與第二系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)相應(yīng)的除錯(cuò)碼數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)區(qū)分別可包含各種錯(cuò)誤更正碼，較佳地包含BCH錯(cuò)誤更正碼或RS 錯(cuò)誤更正碼。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為多層存儲(chǔ)胞與 非門型閃存(multi?level?cell?NAND?flash?memory)。