[發明專利]倒裝片接合工藝無效
| 申請號: | 200810083252.X | 申請日: | 2008-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN101236911A | 公開(公告)日: | 2008-08-06 |
| 發明(設計)人: | 楊朝欽;陳裕文;黃崧智 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 接合 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種倒裝片接合工藝,尤指一種提升芯片與基板的接合性的倒裝片接合工藝。
背景技術
由于倒裝片接合技術(Flip?Chip?Interconnect?Technology,FC)可適用于高腳數(High?Pin?Count)的芯片封裝結構,且同時具備有縮小芯片封裝面積以及縮短信號傳輸路徑等諸多優點,所以倒裝片接合技術目前已廣泛的應用于芯片封裝領域。
請參閱圖1A~1C,圖1A~1C為已知技術中倒裝片接合工藝的流程的示意圖。倒裝片接合技術利用面陣列(Area?array)的方式,將多個芯片接墊(DiePad)配置于芯片(die)的有源表面(Active?surface)上的技術,如圖1A所示,該工藝的流程為先利用蒸鍍(evaporation)、印刷(Printing)或電鍍(electroplating)的方式在芯片10的芯片接墊12上形成凸塊(Bump)14,此凸塊14通常為錫鉛合金材料所構成。如圖1B所示,接著形成一預焊塊24至基板20的接合墊22上,再將芯片10翻覆(flip),通過真空吸嘴18吸附芯片10的背面,移動芯片10至基板20上,將芯片10的凸塊14分別接觸其所對應的基板20的接合墊22,使芯片10上的凸塊14對準預焊塊24并使凸塊14附著在預焊塊24上。如圖1C所示,最后再將凸塊14接觸的芯片10與基板20送入回焊爐中進行回焊,使芯片10固定在基板20上,再利用這些凸塊14來分別電性及機械性連接芯片10的芯片接墊12的乘載器(Carrier)(圖未示)上的接點(Contact),使得芯片10可經由凸塊14電性連接至乘載器(圖未示),并經由乘載器(圖未示)的內部線路電性連接至外界的電子裝置(圖未示)。
但是實際的工藝中,如圖1A所示,在凸塊14的表面會存在著一氧化層16,若無法清除該些氧化層16,會使后續的工藝受到影響而產生問題,如圖1D所示,圖1D為倒裝片接合結構的預焊塊發生變形的示意圖。當氧化層16無法清除時,在進行回焊凸塊14的步驟時,預焊塊24可能會發生變形而向外擠出(如圖1D所示),導致預焊塊24與凸塊14無法確實的接合,產生未焊(cold?joint)現象,而影響芯片10與基板20的接合性,也會增加芯片10與基板20之間的接觸電阻。
如圖1B所示,已知技術中清除凸塊14表面上的氧化層16的作法,乃在芯片10接合于基板20之前,預先在凸塊14的表面形成助焊薄膜17,再將芯片10的凸塊14準確的配置于基板20的接合墊22上,助焊薄膜17的作用不僅能暫時固定芯片10于基板20上,當凸塊14進行回焊時,亦可通過助焊薄膜17來去除凸塊14表面上的氧化層16,最后再清洗回焊后的凸塊14;將殘留于凸塊14的表面的助焊薄膜17加以去除,完成芯片10與基板20接合的動作,利用此種方式可以解決凸塊14表面上的氧化層16的問題。
然而,當凸塊14的表面的氧化層16太厚時,助焊薄膜17并不能徹底將氧化層16完全清除,如此則無法解決因為氧化層16的存在而衍生的問題,此外,若后續清洗回焊后的凸塊14的步驟中,無法將凸塊14的表面的助焊薄膜17完全清除,亦會衍生出其他的問題,因此,如何有效的將凸塊14的表面存在的氧化層16移除,已成為改善倒裝片接合技術的品質的重要課題。
發明內容
因此,本發明的目的之一在于提供一種倒裝片接合工藝,用以提升芯片與基板之間的接合性,并且降低芯片與基板之間的接觸電阻。
本發明的實施例披露一種倒裝片接合工藝,適用于將一芯片接合至一基板,其中該芯片具有一有源表面及至少一凸塊,而該至少一凸塊配置于該有源表面,且該至少一凸塊具有一氧化層,其覆蓋于該至少一凸塊所暴露出的表面,并且該基板還具有一基板表面及至少一接合墊,而該至少一接合墊配置于該基板表面,該倒裝片接合工藝至少包括下列步驟:利用一清潔元件移除該至少一凸塊所具有的該氧化層;將該至少一凸塊接觸至其所對應的該至少一接合墊;以及回焊該至少一凸塊,使得該至少一凸塊接合至其所對應的該至少一接合墊。
為讓本發明的上述和其他目的、特征、和優點能更明顯易懂,下文特舉出優選實施例,并配合所附圖示作詳細說明。
附圖說明
圖1A~1C為已知技術中倒裝片接合工藝的流程的示意圖。
圖1D為倒裝片接合結構的預焊塊發生變形的示意圖。
圖2A~2D為本發明的倒裝片接合工藝的流程的示意圖。
圖3為本發明的倒裝片接合工藝的步驟流程圖。
附圖標記說明
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





