[發明專利]倒裝片接合工藝無效
| 申請號: | 200810083252.X | 申請日: | 2008-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN101236911A | 公開(公告)日: | 2008-08-06 |
| 發明(設計)人: | 楊朝欽;陳裕文;黃崧智 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 接合 工藝 | ||
1、一種倒裝片接合工藝,適用于將一芯片接合至一基板,其中該芯片具有一有源表面及至少一凸塊,而該至少一凸塊配置于該有源表面,且該至少一凸塊具有一氧化層,其覆蓋于該至少一凸塊所暴露出的表面,并且該基板還具有一基板表面及至少一接合墊,而該至少一接合墊配置于該基板表面,該倒裝片接合工藝至少包括下列步驟:
(a)利用一清潔元件移除該至少一凸塊所具有的該氧化層;
(b)將該至少一凸塊接觸至其所對應的該至少一接合墊;以及
(c)回焊該至少一凸塊,使得該至少一凸塊接合至其所對應的該至少一接合墊。
2、如權利要求1所述的倒裝片接合工藝,其中該清潔元件為一泡綿,步驟(a)為利用該泡綿擦拭該至少一凸塊以移除該至少一凸塊所具有的該氧化層。
3、如權利要求2所述的倒裝片接合工藝,其中該泡綿為高密度發泡高分子材料。
4、如權利要求2所述的倒裝片接合工藝,其中該至少一凸塊的材料為錫鉛合金。
5、如權利要求2所述的倒裝片接合工藝,其中該氧化層位于該至少一凸塊的遠離該芯片的一端。
6、如權利要求1所述的倒裝片接合工藝,其中該基板還具有至少一預焊塊,其連接至其所對應的該至少一接合墊,在步驟(b)時,該至少一凸塊經由其所對應的該至少一預焊塊,而間接地接觸其所對應的該至少一接合墊。
7、如權利要求6所述的倒裝片接合工藝,其中在步驟(c)時,該至少一凸塊接合至其所對應的該至少一預焊塊。
8、如權利要求6所述的倒裝片接合工藝,其中該至少一預焊塊的材料為錫鉛合金。
9、如權利要求6所述的倒裝片接合工藝,其中該步驟(a)還包含:
(a1)在利用該清潔元件移除該至少一凸塊所具有的該氧化層后,形成一助焊薄膜于該至少一凸塊的外表面。
10、如權利要求9所述的倒裝片接合工藝,還包含下列步驟:
(d)清洗回焊后的該至少一凸塊,以去除該至少一凸塊的外表面的該助焊薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





