[發明專利]接點結構以及接合結構

有效

• 申請號: 200810083249.8
• 申請日: 2008-03-04
• 公開（公告）號: CN101527288A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 曾毅;高國書
• 申請（專利權）人: 臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會;中華映管股份有限公司;友達光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財團法人工業技術研究院;統寶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

技術領域

本發明涉及一種接點結構以及接合結構，且特別涉及一種降低應力集中的接點結構以及使用此接點結構的接合結構。

背景技術

隨著科技進步，各種電子裝置朝向小型化及多功能化的方向發展。因此為了使電子裝置中的芯片能傳輸或接收更多的信號，電性連接于芯片與線路板之間的接點也朝向高密度化的方向發展。

在已知技術中，電性連接芯片與玻璃基板的方法多為先在芯片的接點與玻璃基板的導電結構之間配置各向異性導電膜(Anisotropic?Conductive?Film，ACF)，且芯片的接點與玻璃基板的導電結構皆面向各向異性導電膜。然后，壓合芯片的接點、各向異性導電膜與玻璃基板的導電結構，以通過各向異性導電膜中的導電顆粒電性連接芯片的每一接點與玻璃基板上與前述接點對應的導電結構。

然而，當芯片的接點密度以及玻璃基板的導電結構的密度增加時，芯片的接點之間的間距以及玻璃基板的導電結構之間的間距皆縮小。因此，芯片的接點通過各向異性導電膜中的導電顆粒將有可能會與鄰近的接點或導電結構電性連接，進而造成短路或漏電。

因此，已有人提出一種表面覆蓋有金屬層的柱狀高分子凸塊以做為芯片的接點結構。而使芯片的接點與玻璃基板的導電結構電性連接的方法是先在芯片與玻璃基板的導電結構之間配置非導電膠層。然后，將芯片壓合于玻璃基板上，以使柱狀高分子凸塊貫穿非導電膠而與玻璃基板的導電結構接觸并電性連接。然而，柱狀高分子凸塊于壓合時易有應力集中的問題，因此易導致金屬層破裂而影響其電性可靠度。

為了解決上述問題，US?7,170,187所提出的方法是在高分子凸塊內加入金屬粒子，并且在高分子凸塊的表面或是內部加上金屬結構，以使凸塊本身具有導電以及彈性性質。但是此種方法所使用的金屬粒子需另外開發，且在高分子凸塊的表面或內部加上金屬結構會使得工藝更為繁瑣且復雜。

另外，US?7,246,432所提出的方法是使用特殊的高分子材料作為凸塊材料。當對高分子凸塊進行烘烤時會使其收縮而形成圓弧形結構，之后依序于圓形結構的凸塊上覆蓋另一層高分子材料層以及一層金屬層。而此種方法所存在的缺點是在利用烘烤程序使高分子凸塊收縮而形成圓弧形結構的時候，其工藝控制的難度相當高。如此，將使得整個凸塊的制造程序難度高且較為復雜。

發明內容

本發明提供一種接點結構，其可以解決傳統高分子凸塊接合程序中所產生的應力集中而易導致金屬層破裂的問題。

本發明提供一種接合結構，其使用特殊的接點結構設計，因而可以減少接合程序中易導致金屬層破裂的問題。

本發明提出一種接點結構，其包括接墊、高分子凸塊以及圖案化導電層。上述接墊是位于基板上。上述高分子凸塊是位于基板上。上述圖案化導電層是位于高分子凸塊上且與接墊電性連接，其中圖案化導電層覆蓋高分子凸塊的一部分且暴露出高分子凸塊的另一部分。

在本發明的一實施例中，上述高分子凸塊具有一上表面以及多個側表面，且兩個相鄰的側表面之間具有一轉角邊，其中導電層至少暴露出轉角邊。

在本發明的一實施例中，上述圖案化導電層包括至少一條狀圖案，其由高分子凸塊的其中一側表面經上表面而延伸至另一側表面。

在本發明的一實施例中，上述圖案化導電層包括至少一第一條狀圖案與至少一第二條狀圖案，第一與第二條狀圖案分別由高分子凸塊的其中兩個側表面經上表面而延伸至另一側表面，且第一與第二條狀圖案在上表面處相交。

在本發明的一實施例中，上述圖案化導電層包括多個塊狀圖案，每一塊狀圖案覆蓋其中一側表面并延伸至上表面，且暴露出轉角邊。

在本發明的一實施例中，上述高分子凸塊位于接墊上，或是位于基板上且未覆蓋接墊。

在本發明的一實施例中，上述接點結構還包括一保護層，位于基板上且暴露出接墊。

在本發明的一實施例中，上述高分子凸塊為多邊形柱狀結構或是多邊形錐狀結構。

在本發明的一實施例中，上述高分子凸塊的材料包括一種或多種高分子材料。

在本發明的一實施例中，上述高分子凸塊為單層結構或是多層結構。

在本發明的一實施例中，上述導電層的材料包括一種或多種導電材料。

在本發明的一實施例中，上述導電層為單層結構或是多層結構。