[發(fā)明專利]具有在外圍區(qū)域的大微透鏡的圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810082348.4 | 申請(qǐng)日: | 2003-10-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101399277A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山本克己 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華微半導(dǎo)體(上海)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 高 青 |
| 地址: | 200031上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 外圍 區(qū)域 透鏡 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,其中包括:
形成在一個(gè)半導(dǎo)體基片中的多個(gè)像素,每個(gè)像素包括一個(gè)光敏元件,所述像素被分組為像素的中央部分和像素的外側(cè)部分;
第一組微透鏡,其形成在所述像素的所述中央部分中的每個(gè)所述像素之上,所述第一組微透鏡具有相同的高度;以及
第二組微透鏡,其形成在所述像素的所述外側(cè)部分中的每個(gè)像素之上,所述第二組微透鏡具有相同的高度,
其中所述第二組微透鏡的高度不同于所述第一組微透鏡的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中進(jìn)一步包括形成在每個(gè)像素之上的濾色層,所述濾色層形成在所述微透鏡和所述光敏元件之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中進(jìn)一步包括形成在每個(gè)像素之上的濾色層,所述濾色層形成在所述微透鏡之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中第二組微透鏡比所述第一組微透鏡更高。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中第二組微透鏡比所述第一組微透鏡更大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述微透鏡由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚甲基丙烯酸甘油酯(PGMA)所形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中進(jìn)一步包括連接到所述圖像傳感器的成像透鏡。
8.一種用于形成圖像傳感器的方法,其中包括:
在一個(gè)半導(dǎo)體基片中形成多個(gè)像素,每個(gè)像素包括一個(gè)光敏元件,所述像素被分組為像素的中央部分和像素的外側(cè)部分;
在所述像素的所述中央部分中的每個(gè)所述像素之上形成第一組微透鏡,所述第一組微透鏡具有相同的高度;以及
在所述像素的所述外側(cè)部分中的每個(gè)所述像素之上形成第二組微透鏡,所述第二組微透鏡具有相同的高度,
其中所述第二組微透鏡的高度不同于所述第一組微透鏡的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中進(jìn)一步包括在每個(gè)像素之上形成濾色層,所述濾色層形成在所述微透鏡和所述光敏元件之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中進(jìn)一步包括在每個(gè)像素之上形成濾色層,所述濾色層形成在所述微透鏡之上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中第二組微透鏡比所述第一組微透鏡更高。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中第二組微透鏡比所述第一組微透鏡更大。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述微透鏡由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚甲基丙烯酸甘油酯(PGMA)所形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中進(jìn)一步包括把成像透鏡連接到所述圖像傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





