[發(fā)明專利]一種偵測(cè)存儲(chǔ)陣列中字元線損壞的方法及相關(guān)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810081849.0
• 申請(qǐng)日: 2008-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN101281786A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳子豪;許人壽;楊連圣;藍(lán)尹明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鈺創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/4078
• 分類號(hào): G11C11/4078
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 孫皓晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)一種偵測(cè)存儲(chǔ)陣列中字元線損壞的方法及相關(guān)裝置，更明確地說(shuō)，是有關(guān)一種偵測(cè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列中字元線損壞的方法及相關(guān)裝置。

背景技術(shù)

請(qǐng)參考圖1，圖1是為一動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic?Random?AccessMemory，DRAM)陣列100的示意圖；如圖所示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列100包含字元線(word?line)WL1、WL2及WL3、位元線(bit?line)BL1、BL2及BL3、開關(guān)SW11、SW12、SW21、SW22、SW31及SW32，以及存儲(chǔ)單元M11、M12、M21、M22、M31與M32。當(dāng)使用者欲將一資料寫入一存儲(chǔ)單元中時(shí)，字元線的電位將會(huì)被提升至一高電位VH以將該存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的開關(guān)打開，再在對(duì)應(yīng)的位元線上載入欲寫入的資料，如此便可將資料寫入。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用者欲將一資料”1”寫入存儲(chǔ)單元M22時(shí)，則字元線WL2的電位會(huì)被提升至電位VH以將開關(guān)SW22打開，使存儲(chǔ)單元M22與位元線BL2導(dǎo)通，然后便可將資料”1”寫入存儲(chǔ)單元M22。反之，如果沒有要將資料寫入，則字元線上的電位會(huì)保持于一低電位VL，而使其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的開關(guān)皆呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)。如圖所示，當(dāng)使用者欲將資料寫入存儲(chǔ)單元M22時(shí)，只有字元線WL2的電位為高電位VH(意即只有開關(guān)SW21、SW22被打開)，其余未被寫入的存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的字元線WL1與WL3的電位皆為低電位VL。

而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列的制造過(guò)程中，難免會(huì)有雜質(zhì)分子存在。而雜質(zhì)分子會(huì)造成字元線與字元線之間的短路，而使得被造成短路的字元線不能達(dá)到所要的電位，進(jìn)而使所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元無(wú)法儲(chǔ)存資料。如圖1所示，雜質(zhì)分子P存在于字元線WL1與WL2之間，造成字元線WL1與WL2短路。因此，在使用者欲寫入字元線WL1或WL2所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元時(shí)，將會(huì)因?yàn)殡s質(zhì)分子P所造成的短路，使得寫入失敗。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用者欲寫入資料于存儲(chǔ)單元M22時(shí)，字元線WL2的電位會(huì)被提升至高電位VH，而其余字元線WL1、WL3將會(huì)被維持于低電位VL。由于雜質(zhì)分子P將字元線WL2與WL1短路，因此便會(huì)有漏電流從字元線WL2流向字元線WL1，而使得字元線WL2的電位從原本的電位VH逐漸下降。

請(qǐng)參考圖2，圖2是為說(shuō)明字元線WL2上的電壓的示意圖；如圖所示，在理想情況下(未有雜質(zhì)分子P存在時(shí))，字元線WL2在寫入的情況時(shí)是會(huì)被提升至高電位VH一段時(shí)間T1(如虛線部分所示)。而實(shí)際上由于雜質(zhì)分子P的影響，字元線WL2的電位VH逐漸被字元線WL1的低電位VL下拉。當(dāng)字元線WL2的電位下降至臨界電位VB時(shí)，若此時(shí)寫入動(dòng)作尚未完成，則開關(guān)SW22將會(huì)關(guān)閉而無(wú)法將資料寫入存儲(chǔ)單元M22，造成寫入失敗。如圖所示，當(dāng)字元線WL2被啟動(dòng)之后(提升至高電位VH)，若經(jīng)過(guò)時(shí)間T2后，寫入動(dòng)作尚未完成，則字元線WL2上的電位將會(huì)下降至臨界電位VB-而使開關(guān)SW21、SW22關(guān)閉。如此一來(lái)，字元線WL2所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元(如圖示的存儲(chǔ)單元M21、M22)，其所儲(chǔ)存的資料便可能產(chǎn)生錯(cuò)誤。而使用者在使用這樣的存儲(chǔ)單元時(shí)，也會(huì)讀取到錯(cuò)誤的資料，造成使用者的不便。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種用于對(duì)DRAM前期檢測(cè)的方法和裝置，以檢測(cè)存儲(chǔ)器中各字元線是否工作正常，避免由于字元線的損壞而導(dǎo)致的存儲(chǔ)錯(cuò)誤影響使用者對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取。

本發(fā)明提供了一種偵測(cè)一存儲(chǔ)陣列中字元線損壞的方法。其中，該存儲(chǔ)陣列包含復(fù)數(shù)條字元線及復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元。該復(fù)數(shù)條字元線包含一第一字元線及復(fù)數(shù)條第二字元線。該方法包含以下步驟：在該第一字元線耦接于一第一偏壓源時(shí)，對(duì)該第一字元線所對(duì)應(yīng)的一第一存儲(chǔ)單元寫入一第一資料；在該第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后，對(duì)該第一存儲(chǔ)單元寫入一相異于該第一資料的一第二資料；讀取該第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的資料；及根據(jù)該讀取資料判斷該第一字元線是否損壞。

本發(fā)明另提供一種存儲(chǔ)陣列中字元線損壞的偵測(cè)裝置。其中，該存儲(chǔ)陣列包含復(fù)數(shù)條字元線及復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元，該復(fù)數(shù)條字元線包含一第一字元線及復(fù)數(shù)條第二字元線。該偵測(cè)裝置包含一第一寫入單元，用來(lái)于該第一字元線耦接于一第一偏壓源時(shí)，對(duì)該第一字元線所對(duì)應(yīng)的一第一存儲(chǔ)單元寫入一第一資料；一第二寫入單元，用來(lái)于該第一字元線與該第一偏壓源的耦接斷開后，對(duì)該第一存儲(chǔ)單元寫入一相異于該第一資料的一第二資料；一讀取單元，用來(lái)讀取該第一存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的資料；及一判斷單元，用來(lái)根據(jù)該讀取資料判斷該第一字元線是否損壞。