[發(fā)明專利]具有靜電放電保護電路的集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810081667.3
• 申請日: 2008-03-05
• 公開（公告）號: CN101521372A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 楊景榮;吳坤泰
• 申請（專利權）人: 瑞鼎科技股份有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00;H01L23/60
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;李丙林

1.一種具有靜電放電保護電路的集成電路，其包括：

第一電源接墊；

第二電源接墊；

至少一個電路模塊，包括：

信號接墊；

內部電路，耦接于所述第一電源接墊與所述第二電源接墊之間；以及

第一雙極結晶體管，其基極耦接于所述第一電源接墊，射極耦接于所述信號接墊，其中，所述第一雙極結晶體管的集極與所述第二電源接墊之間具有一第一寄生電阻；

電源箝制電路，耦接于所述第一電源接墊與所述第二電源接墊之間，所述電源箝制電路包括：

至少一個第一金屬氧化物半導體晶體管，所述第一金屬氧化物半導體晶體管的控制端耦接于所述第二電源接墊，第一連接端耦接于所述第一電源接墊，以及第二連接端耦接于所述第二電源接墊；以及

至少一個第一寄生雙極結晶體管，其集極耦接于所述第一金屬氧化物半導體晶體管的所述第一連接端，射極耦接于所述第一金屬氧化物半導體晶體管的所述第二連接端，基極耦接于所述第一雙極結晶體管的所述集極與所述第一寄生電阻。

2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中，所述電源箝制電路還包括第二金屬氧化物半導體晶體管與第二寄生雙極結晶體管；所述第二金屬氧化物半導體晶體管的控制端耦接于所述第一電源接墊，第一連接端耦接于所述第二電源接墊，以及第二連接端耦接于所述第一電源接墊，其中，所述第二金屬氧化物半導體晶體管的控制端為柵極，第一連接端為漏極，第二連接端為源極；所述電路模塊還包括：第二雙極結晶體管，其基極耦接于所述第二電源接墊，射極耦接于所述信號接墊，其中，所述第二雙極結晶體管的集極與所述第一電源接墊之間具有一第二寄生電阻；以及所述第二寄生雙極結晶體管的集極耦接于所述第二金屬氧化物半導體晶體管的所述第一連接端，射極耦接于所述第二金屬氧化物半導體晶體管的所述第二連接端，以及基極耦接于所述第二雙極結晶體管的所述集極與所述第二寄生電阻。

3.根據(jù)權利要求2所述的集成電路，其包括多個電路模塊，每一電路模塊中的第一雙極結晶體管的集極均耦接至所述第一寄生電阻與所述第一寄生雙極結晶體管的所述基極，以及每一電路模塊中的第二雙極結晶體管的集極均耦接至所述第二寄生電阻與所述第二寄生雙極結晶體管的所述基極。

4.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其還包括阻抗元件，耦接于所述信號接墊以及所述內部電路之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一金屬氧化物半導體晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管。

6.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一金屬氧化物半導體晶體管為P型金屬氧化物半導體晶體管。

7.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其包括多個電路模塊，且每一電路模塊中的第一雙極結晶體管的集極均耦接至所述第一寄生電阻與所述第一寄生雙極結晶體管的所述基極。