[發(fā)明專利]液晶裝置及電子設(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810081532.7
• 申請(qǐng)日: 2008-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN101256319A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 澤渡彩映
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李貴亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶裝置及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

尤其在以液晶電視機(jī)等為代表的液晶裝置的領(lǐng)域中，近幾年，以提高運(yùn)動(dòng)圖像的圖像質(zhì)量為目的且響應(yīng)速度快的OCB(Optical?CompensatedBend)模式的液晶裝置備受矚目。在OCB模式中，初始狀態(tài)下液晶在2枚基板間成為打開為噴射(spray)狀的噴射取向，在顯示動(dòng)作時(shí)液晶需要呈彎曲成弓形的狀態(tài)(彎曲取向)。即，在顯示動(dòng)作時(shí)通過以彎曲取向的彎曲程度對(duì)透過率進(jìn)行調(diào)制，從而實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)性。

在為這種OCB模式的裝置的情況下，在切斷電源時(shí)液晶為噴射取向，因此需要進(jìn)行所謂的初始轉(zhuǎn)移操作，即在接通電源時(shí)通過對(duì)液晶施加某個(gè)閾值電壓以上的電壓，從而使液晶的取向狀態(tài)從初始的噴射取向轉(zhuǎn)移到顯示動(dòng)作時(shí)的彎曲取向。因此，在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種利用與像素電極之間產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)、促進(jìn)液晶的初始取向轉(zhuǎn)移的技術(shù)。

【專利文獻(xiàn)1】特開2001-296519號(hào)公報(bào)

然而，在專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)中，為了在像素電極的規(guī)定位置形成轉(zhuǎn)移核而需要高電壓。因此，在用于上述電子設(shè)備的小容量電源中，電場(chǎng)強(qiáng)度不足，無法充分且均勻地生成轉(zhuǎn)移核，存在顯示不良或得不到所希望的高速響應(yīng)性的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是鑒于上述問題而進(jìn)行的，其目的在于提供一種能以低電壓且短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行OCB模式的初始取向轉(zhuǎn)移的液晶裝置及電子設(shè)備。

本發(fā)明的液晶裝置，其具有被夾持在對(duì)置配置的第一基板與第二基板之間的液晶層，使該液晶層的取向狀態(tài)從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移來進(jìn)行顯示，其特征在于，上述第一基板上設(shè)有：互相交叉的掃描線及數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極，該液晶裝置還設(shè)有轉(zhuǎn)移電極，其設(shè)置得比上述掃描線或數(shù)據(jù)線更靠近上述液晶層側(cè)，且比上述像素電極更靠近上述第一基板側(cè)，并與上述像素電極之間產(chǎn)生電位差。

根據(jù)本發(fā)明的液晶裝置，通過在像素電極與轉(zhuǎn)移電極之間使電場(chǎng)產(chǎn)生，從而可以形成作為初始轉(zhuǎn)移的起點(diǎn)的轉(zhuǎn)移核。再有，由于采用上述轉(zhuǎn)移電極與上述像素電極上下配置的結(jié)構(gòu)，故例如通過減小設(shè)置于電極間的絕緣層(電介質(zhì)膜)的膜厚，從而與現(xiàn)有的采用橫向電場(chǎng)的電極結(jié)構(gòu)相比，可以縮短電極間的距離，結(jié)果能以低電壓在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行初始轉(zhuǎn)移。

再有，在上述液晶裝置中，優(yōu)選上述像素電極的端部與上述轉(zhuǎn)移電極重疊。

由此，可以在像素電極與轉(zhuǎn)移電極之間良好地產(chǎn)生形成作為上述的初始轉(zhuǎn)移的起點(diǎn)的轉(zhuǎn)移核的電場(chǎng)。進(jìn)而，可以使得像素電極端部上的液晶分子也取向，可以在像素電極上的寬范圍內(nèi)使初始轉(zhuǎn)移產(chǎn)生。

進(jìn)而，在上述液晶裝置中，優(yōu)選在上述像素電極與上述轉(zhuǎn)移電極之間設(shè)置電介質(zhì)膜，該電介質(zhì)膜的與上述轉(zhuǎn)移電極重疊的部分的膜厚在1μm以下。

一般通過光刻法等形成電極及布線層，因此將各自的間隔設(shè)為2μm左右在技術(shù)上成為界限。因此，若采用本發(fā)明，則由于存在于像素電極與轉(zhuǎn)移電極之間的電介質(zhì)膜的膜厚在1μm以下，故可以使得電極彼此之間接近，與現(xiàn)有的橫向電場(chǎng)方式相比，以更低的電壓即可使初始轉(zhuǎn)移產(chǎn)生。

另外，在上述液晶裝置中，優(yōu)選上述像素電極或上述轉(zhuǎn)移電極中形成有彎曲部。

由此，由于借助彎曲部可以在像素電極與轉(zhuǎn)移電極之間使電場(chǎng)產(chǎn)生于各種方向，故可以利用彎曲部更可靠地產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核，可以進(jìn)一步提高初始轉(zhuǎn)移的均勻性、高速性。

再有，在上述液晶裝置中，優(yōu)選上述轉(zhuǎn)移電極形成為島狀。

由此，能夠?qū)⑥D(zhuǎn)移電極配置在像素區(qū)域內(nèi)的所希望的位置，可以將使作為初始取向轉(zhuǎn)移的起點(diǎn)的轉(zhuǎn)移核產(chǎn)生的場(chǎng)所設(shè)定于任意位置。

還有，在上述液晶裝置中，優(yōu)選上述轉(zhuǎn)移電極與形成于上述像素電極的狹縫重疊。

這樣，能夠?qū)⑥D(zhuǎn)移電極配置在像素區(qū)域內(nèi)的所希望的位置，可以將使作為初始取向轉(zhuǎn)移的起點(diǎn)的轉(zhuǎn)移核產(chǎn)生的場(chǎng)所設(shè)定于任意位置。

還有，在上述液晶裝置中，優(yōu)選在俯視狀態(tài)下與上述像素電極分離的位置且與上述轉(zhuǎn)移電極重疊的位置上設(shè)置突起部。

這樣，利用突起部，能夠使初始的液晶分子在各種方向傾斜取向，還能借助施加初始轉(zhuǎn)移電壓而使各種方向的傾斜電場(chǎng)產(chǎn)生。由此，可以使旋轉(zhuǎn)位移在突起部周邊產(chǎn)生，可以進(jìn)一步提高初始轉(zhuǎn)移的均勻性及高速性。

另外，在上述液晶裝置中，優(yōu)選上述轉(zhuǎn)移電極與上述掃描線為相同電位。

由此，通過向掃描線施加電壓，從而可以與像素電極之間產(chǎn)生作為初始轉(zhuǎn)移起點(diǎn)的電場(chǎng)。再有，通過層疊掃描線與轉(zhuǎn)移電極，從而可以連續(xù)形成，因此可以簡(jiǎn)化制造工序。

本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于具備上述液晶裝置。