[發(fā)明專利]電流鏡像電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810081371.1 | 申請(qǐng)日: | 2008-02-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101252131A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 南志昌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精工電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/088 | 分類號(hào): | H01L27/088;H01L23/532;H01L23/525;H01L29/49;G05F3/26 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;劉宗杰 |
| 地址: | 日本千葉*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電流 電路 | ||
1.一種電流鏡像電路,包括:
被提供輸入電流的第一MOS晶體管;和
具有連接到第一MOS晶體管的柵極的柵極的第二MOS晶體管,用于產(chǎn)生其幅度是輸入電流的幅度乘以電流鏡像比的輸出電流,其中:
第一MOS晶體管的柵極和第二MOS晶體管的柵極均由多晶硅形成;并且
第一MOS晶體管的柵極和第二MOS晶體管的柵極利用多晶硅彼此直接連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電流鏡像電路,進(jìn)一步包括熔絲:
該熔絲的一端連接到第一柵極和第二柵極之間的柵極部分,所述第一柵極和第二柵極利用多晶硅彼此直接連接;以及
該熔絲的另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電流鏡像電路,其中該熔絲在完成電流鏡像電路的制造工藝之后執(zhí)行的調(diào)整工藝期間斷開(kāi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





