[發明專利]磁頭及其制造方法

無效

• 申請號: 200810080768.9
• 申請日: 2008-02-18
• 公開（公告）號: CN101246693A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 丸山洋治;巖倉忠幸;江藤公俊;椎名宏實;工藤一惠
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/31
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李濤;鐘強

技術領域

本發明總體上涉及磁頭，更具體涉及適合用于在介質表面記錄高密度磁信息的垂直磁記錄的磁盤驅動器的磁頭及制造該磁頭的方法。

背景技術

用于信息設備的存儲(記錄)設備主要使用半導體存儲器或磁存儲器。鑒于訪問時間，半導體存儲器被用作內部存儲設備，而鑒于大容量和非易失性，磁盤驅動器被用作外部存儲設備。存儲容量是表示磁盤驅動器的性能的重要指數。隨著信息社會的最新發展，市場需要大容量和小型的磁盤驅動器。適合于該需要的記錄系統是垂直記錄。垂直記錄被認為是代替常規縱向記錄的主流，因為可以促進高密度。

專利文獻1公開了一種通過在磁道寬度方向上在主磁極的兩側布置軟磁性膜從而抑制磁道寬度兩端的不必要磁場的加寬的垂直記錄磁頭。專利文獻2公開了一種通過以下方式防止雜散磁場集中于磁頭元件上的垂直記錄磁頭。圍繞磁頭元件的上部和橫向側面設置軟磁屏蔽，由此使軟磁屏蔽和介質之間的距離小于軟磁屏蔽和磁頭元件之間的距離。

[專利文獻1]

美國專利申請公開號2002/0176214

[專利文獻2]

JP-A-2006-164356

發明內容

垂直記錄的記錄介質的磁化方向垂直于介質的表面；因此，作用在垂直記錄的記錄介質中的相鄰磁疇之間的去磁場的效果小于縱向記錄的效果。因此，在該介質中可以記錄高密度磁信息，這使之可以構成大容量磁盤。

在垂直記錄中，主磁極具有張開點并且磁通量被限制在該張開點，以產生強磁場。來自主磁極的寫磁場對磁道寬度方向和連續記錄位方向有影響。由于在磁道寬度方向上寫入相鄰位信息，歸因于在寫操作過程中極其強的磁場擦除寫區域外面的磁信息而存在問題。上述專利文獻1和2描述了解決這種問題的磁頭結構。

由計算模擬證實，專利文獻1中描述的技術可以允許目標記錄質量和相鄰記錄信息的保留。但是，為了滿足該目標發現以下問題。設置在主磁極的兩側并靠近主磁極的軟磁性膜的反向長度必需以高精度(±10nm)設為極短的長度(50至200nm)。此外，主磁極的張開點必需以高精度(±10nm)設為50至200nm，以便產生強磁場。據發現，這種部件的形成精確度(薄膜厚度和反向長度)需要被極其精確地設置為±10nm的范圍，以便實現作為目標的高質量記錄操作。因此，如果由商購得到的半導體制造設備來制造垂直記錄磁頭，那么制造成品率是低的，以致不能成批制造廉價磁頭。

根據專利文獻2中描述的技術，由于軟磁屏蔽的端部被布置在極其遠離主磁極的位置(1μm或更多)，因此抑制磁道寬度兩端的磁場加寬的效果是不充足的。

本發明的一個目的是提供一種可以抑制來自主磁極的寫磁場加寬并具有工藝裕度的磁頭。

本發明的另一目的是提供一種磁頭制造方法，可以縮短制造過程且在批量生產率方面是優異的。

為了實現上述目的，本發明的典型磁頭的特征在于部分主磁極或磁場施加裝置延伸到氣墊面，在主磁極的兩側分開地布置第一軟磁性膜，在從氣墊面縮回的位置設置最靠近記錄介質的第一軟磁性膜圖形的端部，以及在主磁極的尾側設置第二軟磁性膜。

第一軟磁性膜和主磁極形成在相同層中。

設置在主磁極兩側的第一軟磁性膜可以被配置為與主磁極接觸，具有從氣墊面縮回并具有平行于該氣墊面的部分的氣墊面側端，以及在主磁極附近從與其平行的部分進一步縮回的部分。

制造磁頭的方法的特征在于，在形成于非磁性膜上的抗蝕劑中，在形成主磁極和第一軟磁性膜的區域中形成開口，以及在該開口中沉積軟磁性材料。因此，主磁極具有延伸到氣墊面以限定磁道寬度的部分和當隨著從氣墊面縮回其寬度逐漸加寬的部分，以及通過相同工藝形成的分開地布置在主磁極的兩側并具有從該氣墊面縮回的氣墊面側端的第一軟磁性膜。

根據本發明，允許抑制主磁極的寫磁場加寬的軟磁性膜的氣墊面側端從氣墊面縮回。因此，如果通過晶片加工或機器加工轉移主磁極的張開點位置，那么軟磁性膜的反向長度不被改變，除非軟磁性膜的邊緣接觸氣墊面。因此，可以實現具有大的工藝裕度的磁頭，以及可以防止抑制寫磁場加寬的效果變化。

具體實施方式