[發明專利]音頻功率放大器中的前置電路有效
| 申請號: | 200810080678.X | 申請日: | 2008-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN101521487A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發明(設計)人: | 吳國宏 | 申請(專利權)人: | 原景科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 蒲邁文 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 音頻 功率放大器 中的 前置 電路 | ||
1.一種音頻功率放大器中的前置電路,包含:
一反相器,用以接收一輸入信號以輸出一輸出信號,該反相器包含:
一第一開關,由該輸入信號控制,并具有一第一端點以及一第二端點,其中該第一端點耦接于一電源電壓,該第二端點用以輸出該輸出信號;及
一第二開關,由該輸入信號控制,并具有一第三端點以及一第四端點,其中該第三端點用以輸出該輸出信號,該第四端點耦接于一低參考電壓;以及
一壓降組件,耦接于該第一開關的該第一端點以及該電源電壓之間,并用以降低該電源電壓;
其中當該壓降組件以及該第一開關因該電源電壓的電平低于一第一臨界電壓而未驅動時,該輸出信號維持在一低電平狀態,
所述前置電路還包含:
一第三開關,由該電源電壓控制,并具有一第五端點以及一第六端點,其中該第五端點由一電容耦接于該電源電壓,該第六端點耦接于該低參考電壓;以及
一第四開關,由該第三開關的該第五端點的電壓所控制,并具有一第七端點以及一第八端點,其中該第七端點耦接于該第一開關的該第二端點以及該第二開關的該第三端點,該第八端點耦接于該低參考電壓。
2.如權利要求1所述的前置電路,其中當該電源電壓增加至一第二臨界電壓而驅動該第三開關時,該電容進行充電以驅動該第四開關,使得該輸出信號維持在該低電平狀態。
3.如權利要求1所述的前置電路,其中該第三開關為一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管,該晶體管的一柵極端由該電源電壓所控制,該晶體管的一漏極端為該第五端點,該晶體管的一源極端為該第六端點。
4.如權利要求1所述的前置電路,其中該第四開關為一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管,該晶體管的一柵極端由該第三開關的該第五端點的電壓所控制,該晶體管的一漏極端為該第七端點,該晶體管的一源極端為該第八端點。
5.如權利要求1所述的前置電路,其中當該電源電壓增加至一第三臨界電壓而使得該壓降組件以及該第一開關驅動時,該輸入信號根據該反相器轉換為該輸出信號。
6.如權利要求1所述的前置電路,其中該壓降組件為一二極管,該二極管具有一陽極端以及一陰極端,該陽極端耦接于該電源電壓,該陰極端耦接于該第一開關的該第一端點。
7.如權利要求1所述的前置電路,其中該壓降組件為一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管,該晶體管的一源極端耦接于該電源電壓,該晶體管的一柵極端及一漏極端耦接于該第一開關的該第一端點。
8.如權利要求1所述的前置電路,其中該第一開關為一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管,該晶體管的一柵極端由該輸入信號控制,該晶體管的一源極端為該第一端點,該晶體管的一漏極端為該第二端點。
9.如權利要求1所述的前置電路,其中該第二開關為一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管,該晶體管的一柵極端由該輸入信號控制,該晶體管的一漏極端為該第三端點,該晶體管的一源極端為該第四端點。
10.一種音頻功率放大器中的前置電路,包含:
一第一開關,由一輸入信號控制,并具有一第一端點以及一第二端點,其中該第一端點耦接于一電源電壓,該第二端點用以輸出一輸出信號;
一第二開關,由該輸入信號控制,并具有一第三端點以及一第四端點,其中該第三端點用以輸出該輸出信號,該第四端點耦接于一低參考電壓;以及
一二極管,其陰極端耦接于該第一開關的該第一端點,其陽極端耦接于該電源電壓,
所述前置電路還包含:
一電容,該電容的一第一端點耦接于該電源電壓;
一第三開關,由該電源電壓控制,并具有一第五端點以及一第六端點,其中該第五端點耦接于該電容的一第二端點,該第六端點耦接于該低參考電壓;以及
一第四開關,由該第三開關的該第五端點的電壓所控制,并具有一第七端點以及一第八端點,其中該第七端點耦接于該第一開關的該第二端點以及該第二開關的該第三端點,該第八端點耦接于該低參考電壓。
11.如權利要求10所述的前置電路,其中當該二極管以及該第一開關因該電源電壓的電平低于一第一臨界電壓而未驅動時,該輸出信號維持在一低電平狀態。
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