[發(fā)明專(zhuān)利]電路連接材料、電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810080423.3
• 申請(qǐng)日: 2004-06-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101232128A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 有福征宏;渡邊伊津夫;后藤泰史;小林宏治;小島和良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日立化成工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01R11/01
• 分類(lèi)號(hào): H01R11/01;C09J9/02;H01B1/22;H01L21/60;H05K1/14;H05K3/36
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鐘晶

1.一種電路連接材料，其是用于連接第一電路構(gòu)件及第二電路構(gòu)件的電路連接材料，該第一電路構(gòu)件是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成的電路構(gòu)件，該第二電路構(gòu)件是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成的電路構(gòu)件；在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述主面作為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；其特征在于，

含有粘接劑組合物以及導(dǎo)電粒子，該導(dǎo)電粒子平均粒徑大于等于1μm小于10μm且硬度為1.961～6.865GPa；

通過(guò)固化處理，在40℃的貯存彈性模量成為0.5～3GPa，固化處理后25℃至100℃的平均熱膨脹系數(shù)成為30～200ppm/℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電路連接材料，其中，所述導(dǎo)電粒子具備：由有機(jī)高分子構(gòu)成的核體，以及形成于該核體上的由銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金構(gòu)成的金屬層；前述金屬層的厚度為50～170nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述電路連接材料，其中，所述導(dǎo)電粒子具備由金或鈀構(gòu)成的最外層，前述最外層的厚度為15～70nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，所述粘接劑組合物包含環(huán)氧樹(shù)脂、和前述環(huán)氧樹(shù)脂的潛在性固化劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，所述粘接劑組合物包含自由基聚合性物質(zhì)，和通過(guò)加熱而產(chǎn)生游離自由基的固化劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，通過(guò)固化處理，玻璃轉(zhuǎn)化溫度成為60～200℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述電路連接材料，其中，進(jìn)一步含有薄膜形成材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述電路連接材料，其中，所述薄膜形成材料是苯氧樹(shù)脂。

9.一種薄膜狀電路連接材料，其特征在于，是將權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述電路連接材料形成為薄膜狀而成。

10.一種電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其具備：

第一電路構(gòu)件，其是第一電路電極與第一絕緣層在第一電路基板的主面上鄰接形成；

第二電路構(gòu)件，其是第二電路電極與第二絕緣層在第二電路基板的主面上鄰接形成；以及

電路連接構(gòu)件，其設(shè)置于前述第一電路構(gòu)件的主面與前述第二電路構(gòu)件的主面之間、連接前述第一及第二電路構(gòu)件彼此；

在前述第一及第二電路構(gòu)件的至少一方，前述絕緣層的至少一部分是以前述電路基板的主面為基準(zhǔn)、厚于前述電路電極而形成；其特征在于，

前述電路連接構(gòu)件包含絕緣性物質(zhì)、以及導(dǎo)電粒子，該導(dǎo)電粒子的平均粒徑大于等于1μm小于10μm且硬度為1.961～6.865GPa；

前述電路連接構(gòu)件在40℃的貯存彈性模量為0.5～3GPa且25℃至100℃的平均熱膨脹系數(shù)為30～200ppm/℃；

前述第一電路電極與前述第二電路電極經(jīng)由前述導(dǎo)電粒子而電性連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電粒子具備：由有機(jī)高分子構(gòu)成的核體，以及形成于該核體上的由銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金構(gòu)成的金屬層；前述金屬層的厚度為50～170nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電粒子具備由金或鈀構(gòu)成的最外層，前述最外層的厚度為15～70nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求10～12任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，在所述絕緣層的至少一部分是以所述電路基板的主面作為基準(zhǔn)、厚于所述電路電極而形成的電路構(gòu)件中，所述絕緣層的至少一部分的厚度與所述電路電極的厚度之差為50～600nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求10～13任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述電路連接構(gòu)件的玻璃轉(zhuǎn)化溫度為60～200℃。

15.根據(jù)權(quán)利要求10～14任一項(xiàng)所述電路構(gòu)件的連接結(jié)構(gòu)，其中，所述絕緣層是由有機(jī)絕緣性物質(zhì)、二氧化硅及氮化硅中的任意一種所構(gòu)成。