[發明專利]一種催化劑輔助真空熱蒸發生長CdTe納米棒的方法

無效

• 申請號: 200810072867.2
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN101328615A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 簡基康;尚飛;孫言飛;吳榮;鄭毓峰
• 申請（專利權）人: 新疆大學
• 主分類號: C30B29/48
• 分類號: C30B29/48;C30B29/62;C30B23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種催化劑輔助真空熱蒸發法生長CdTe納米棒的方法，其中，使用鉍金屬粉末做催化劑，純度99.5％的CdTe粉末為原料，按CdTe粉末與鉍金屬粉末的摩爾比范圍為1∶0.25-1∶0.01，混合后置于反應舟中，作為蒸發源設置在真空加熱爐內，將襯底設置于水平距蒸發源4毫米至2厘米處，在真空度為2×10^-2-2×10^-3Pa下熱蒸發沉積10min-15min，在襯底上獲得微觀形貌為納米棒的CdTe薄膜。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空度為2×10^-2-2×10^-3Pa。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述納米結構為長度為30-50μm，直徑為100-300nm的納米線和/或長度為200-500nm，直徑為10-20nm的納米棒和/或主干直徑為300-500nm，分支直徑為40-50nm的具有分支狀結構的納米棒和/或直徑為200-300nm的陣列排布的納米棒。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述襯底為ITO玻璃、石英玻璃、硅片。

5.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述真空加熱爐為電阻加熱爐。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述電阻加熱爐的加熱器為鎳片加熱器的加熱爐。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，蒸發源設置在所述鎳片加熱器上。