[發明專利]具有反射層的三結太陽電池及其制造方法

有效

• 申請號: 200810072025.7
• 申請日: 2008-10-27
• 公開（公告）號: CN101388419A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 張銀橋;蔡建九;張雙翔;王向武
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L31/052
• 分類號: H01L31/052;H01L31/0232;H01L31/18
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司
• 代理人: 李 寧

1.具有反射層的三結太陽電池，其特征在于：在P-Ge襯底上生長形成包含兩套布拉格反射層的三結太陽電池的半導體材料層；兩套布拉格反射層是一套用于反射短波光子的鋁銦磷AlInP/鋁鎵銦磷AlGaInP頂電池反射層和一套用于反射中波光子的砷化鋁AlAs/鋁鎵砷AlGaAs中電池反射層；所述頂電池反射層的反射波長380～500nm，頂電池反射層為2對-10對；所述中電池反射層的反射波長600～880nm，中電池反射層為15對-25對。

2.根據權利要求1所述具有反射層的三結太陽電池，其特征在于：所述的三結太陽電池是采用金屬有機氣相沉淀技術在P-Ge襯底上依序生長P-Ge底電池基區、N-Ge底電池發射區、N-GaInP底電池窗口層、N-GaAs底中電池緩沖層、P⁺⁺-GaAs/N⁺⁺-GaAs底中電池隧穿結、P-AlAs/AlGaAs中電池反射層、P-AlGaAs中電池背電場、P^--InGaAs中電池基區、N-InGaAs中電池發射區、N-AlGaInP或N-GaInP中電池窗口層、P⁺⁺-AlGaAs/N⁺⁺-GaInP中頂電池隧穿結、P-AlInP/AlGaInP頂電池反射層、P-AlGaInP頂電池背電場、P^--AlGaInP頂電池基區、N-AlGaInP頂電池發射區、N-AlInP頂電池窗口層、N-GaAs帽層、N⁺⁺-GaAs接觸層。

3.具有反射層的三結太陽電池的制造方法，其特征在于：在P-Ge襯底上利用金屬有機氣相沉淀MOCVD技術生長半導體材料層，步驟如下：

(1)在P-Ge襯底上面在500～700℃下進行P擴散，形成P-Ge底電池基區/N-Ge底電池發射區；

(2)再依序生長N-GaInP底電池窗口層、N-GaAs底中電池緩沖層、P⁺⁺-GaAs/N⁺⁺-GaAs底中電池隧穿結；

(3)接著，生長P-AlAs/AlGaAs中電池反射層，反射波長為600～880nm，數量為15對-25對；

(4)再依序生長P-AlGaAs中電池背電場、P^--InGaAs中電池基區、N-InGaAs中電池發射區、N-AlGaInP或N-GaInP作為中電池窗口層、P⁺⁺-AlGaAs/N⁺⁺-GaInP中頂電池隧穿結；

(5)然后，生長P-AlInP/AlGaInP作為頂電池反射層，反射波長為380～500nm，數量為2對-10對；

(6)再依序生長P-AlGaInP頂電池背電場、P^--AlGaInP頂電池基區、N-AlGaInP頂電池發射區、N-AlInP頂電池窗口層、N-GaAs帽層和N⁺⁺-GaAs接觸層。