[發(fā)明專利]一種降低金屬硅中氧、碳含量的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810070925.8 | 申請日: | 2008-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN101386413A | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄭智雄 | 申請(專利權)人: | 南安市三晶硅品精制有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務所有限公司 | 代理人: | 張松亭 |
| 地址: | 362000福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 降低 金屬硅 含量 方法 | ||
1.一種降低金屬硅中氧、碳含量的方法,包括以下步驟:
A、將1550℃~1950℃的處于熔融狀態(tài)的硅液倒入盛硅容器中,盛硅容器的底部中央設有三個分別連接帶有控氣裝置的氧氣、氫氣和水蒸氣氣源導入氣頭;
B、順次吹入氧氣、氫氣和水蒸氣,通入硅液中的氧氣、氫氣和水蒸氣的摩爾比為1∶0.4~0.6∶0.4~0.6,氧氣、氫氣、水蒸氣氣體的壓力均為1~2kg/cm2g,使氫氣和氧氣在硅液中反應產生局部高溫,硅溶液中的O、C元素隨氣體排放而除去;C、連續(xù)通入氧氣、氫氣和水蒸氣0.5~3小時。
2.根據(jù)權利要求1中所述的降低金屬硅中氧、碳含量的方法,還包括以下步驟:取樣分析檢測,并根據(jù)檢測結果決定是否重復步驟B,在硅液中O含量在3000ppm以下,C含量在600ppm以下時,結束操作。
3.根據(jù)權利要求1中所述的降低金屬硅中氧、碳含量的方法,其特征在于:通入硅液中的氧氣、氫氣和水蒸氣的摩爾比優(yōu)選為1∶0.5∶0.5。
4.根據(jù)權利要求1中所述的降低金屬硅中氧、碳含量的方法,其特征在于:所述氧氣、氫氣、水蒸氣氣源導入氣頭使用氧化鎂、氧化鋯或氧化鉿中的一種制成。
5.根據(jù)權利要求1中所述的降低金屬硅中氧、碳含量的方法,其特征在于:所述氧氣、氫氣、水蒸氣氣源導入氣頭呈三角形地設置在盛硅容器的底部中央。
6.根據(jù)權利要求1中所述的降低金屬硅中氧、碳含量的方法,其特征在于:兩相鄰的導入氣頭之間用板狀物隔離。
7.根據(jù)權利要求1中所述的降低金屬硅中氧、碳含量的方法,其特征在于:所述盛硅容器為坩堝。
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