[發明專利]帶有微腔的圖形硅片真空鍵合方法無效
| 申請號： | 200810070015.X | 申請日： | 2008-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN101327906A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發明（設計）人： | 馮建;譚開洲;徐俊 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | B81C3/00 | 分類號： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 400060重*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 圖形 硅片 真空 方法 | ||
1.一種帶有微腔的圖形硅片真空鍵合方法，其包括以下工藝步驟：
(1)準備一個4英寸帶有微腔的圖形硅片，以及一個4英寸普通硅片，其導電類型可以是N型或P型，其晶向可以是(100)或(111)或(110)；
(2)對所述帶有微腔的圖形硅片進行干法刻蝕，溫度為20℃，SF6氣體流量為200-500sccm，時間為3-6秒；C4F8氣體流量為200-500sccm，時間為1-3秒，兩種氣體交替使用，直至其微腔的內壁表面粗糙，使表面粗糙度達到0.5-1.5μm；
(3)將所述帶有微腔的圖形硅片放入簡易予鍵合裝置中的承片架和對位臺上，將活動桿伸入帶有微腔的圖形硅片的上方2mm左右，再將普通硅片輕輕放下，其一部分邊緣與帶有微腔的圖形硅片接觸，另一部分邊緣搭在活動桿上，其與帶有微腔的圖形硅片之間形成一定空隙，關上簡易予鍵合裝置的真空室上蓋；
(4)打開簡易予鍵合裝置的真空閥，進行抽真空，時間15秒，使其內部真空度達20000Pa；
(5)關閉簡易予鍵合裝置的真空閥，打開氧氣進氣閥，充入純度達99.9999％的氧氣，時間為3秒，關閉氧氣進氣閥；
(5)重復步驟(4)和(5)的過程4-8次；
(6)向外位動活動桿，使所述普通硅片靠自身重力自然下落，與所述帶有微腔的圖形硅片貼合在一起，實現真空狀態下的予鍵合；
(7)打開簡易予鍵合裝置的真空室上蓋，取出已經予鍵合在一起的硅片；
(8)將已予鍵合在一起的硅片放入高溫擴散爐，進行高溫退火處理，溫度為1000-1200℃，時間為8-15小時，氣氛為氧氣一氫氧合成氣-氧氣，最終實現帶有微腔的圖形硅片的真空鍵合。
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