[發明專利]多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器

無效

• 申請號: 200810069291.4
• 申請日: 2008-01-23
• 公開（公告）號: CN101221995A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 熊平;李華高;白雪平;龍飛;李立;陳紅兵;李仁豪
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01L31/108
• 分類號: H01L31/108
• 代理公司: 重慶弘旭專利代理有限責任公司
• 代理人: 侯懋琪

1.一種多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，它包括：金屬反射鏡(1)、光腔介質(2)、硅化物敏感膜(3)、N型保護環(4)、N+電極、P+電極、P型襯底(5)和抗反射膜(7)，其特征在于：所述的硅化物敏感膜(3)可有多層；兩兩硅化物敏感膜(3)間及其與光腔介質(2)間都夾有P型無定形硅(6)；各層硅化物敏感膜(3)都與N型保護環(4)連接。

2.根據權利要求1所述的多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，其特征在于：各層硅化物敏感膜(3)作為整體把其間的P型無定形硅(6)完全包裹并與N型保護環(4)連接；光腔介質(2)將最頂層的P型無定形硅(6)和硅化物敏感膜(3)外表面完全覆蓋。

3.根據權利要求1所述的多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，其特征在于：所述的硅化物敏感膜(3)有三層，則共有三層P型無定形硅(6)，其中兩層P型無定形硅(6)夾在三層硅化物敏感膜(3)間，還有一層P型無定形硅(6)覆蓋在最頂層的硅化物敏感膜(3)之上。

4.根據權利要求3所述的多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，其特征在于：所述的三層硅化物敏感膜(3)和三層P型無定形硅(6)的總厚度為5～25nm。

5.根據權利要求4所述的多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，其特征在于：所述的硅化物敏感膜(3)厚度在2nm以內。

6.根據權利要求1所述的多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，其特征在于：所述的P型無定形硅(6)，其摻雜濃度為10¹⁴～10¹⁷cm^-3。

7.根據權利要求1所述的多層敏感膜光腔結構肖特基勢壘紅外探測器，其特征在于：所述的P型無定形硅(6)，其摻雜濃度為10¹⁸～10²¹cm^-3。