[發(fā)明專利]固體電解電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810069099.5 | 申請日: | 2008-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN101452769A | 公開(公告)日: | 2009-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林泰三;梅本卓史;野野上寬 | 申請(專利權(quán))人: | 三洋電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01G9/07 | 分類號: | H01G9/07;H01G9/15 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 龍 淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 電解電容器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種固體電解電容器。
背景技術(shù)
通常,固體電解電容器通過下述方式構(gòu)成:對由鈮(Nb)、鉭(Ta) 等閥作用金屬構(gòu)成的陽極進(jìn)行陽極氧化,從而在其表面上形成主要由 氧化物構(gòu)成的電介質(zhì)層,在該電介質(zhì)層上形成電解質(zhì)層,在其上形成 陰極層。日本特開平4-48710號公報(bào)公開了通過例如疊層由通過化學(xué)聚 合法形成的聚吡咯構(gòu)成的第一導(dǎo)電性高分子層、和由通過電解聚合法 形成的聚吡咯構(gòu)成的第二導(dǎo)電性高分子層而形成的電解質(zhì)層。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平4-48710號
但是,這樣的現(xiàn)有的固體電解電容器,存在在電介質(zhì)層中產(chǎn)生缺 陷(例如,非晶質(zhì)的電介質(zhì)層的結(jié)晶化等)、漏電流增加的問題。對此, 如果為了降低漏電流而增加電介質(zhì)層的厚度,則產(chǎn)生靜電電容下降等 其他問題。因此,近年來對于固體電解電容器強(qiáng)烈要求這樣的特性的 改善。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制漏電流的增加的固體電解電 容器。
一種固體電解電容器,其特征在于,包括:陽極;陰極;和在上 述陽極與上述陰極之間,與上述陰極接觸地被設(shè)置的電介質(zhì)層,其中, 上述電介質(zhì)層包含在其與上述陰極的界面具有開口的多個(gè)凹部,上述 多個(gè)凹部沿上述電介質(zhì)層的表面設(shè)置,上述多個(gè)凹部各自具有上述開 口的直徑的0.1倍~1.5倍的深度。
本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)能夠通過下面結(jié)合附圖的對本發(fā)明的原 理進(jìn)行的說明變得更明確。
附圖說明
下面參照優(yōu)選的實(shí)施例和附圖進(jìn)行說明,使得能夠更好地理解本 發(fā)明及其目的和優(yōu)點(diǎn),其中:
圖1是表示本實(shí)施方式的固體電解電容器的結(jié)構(gòu)的概略截面圖。
圖2A是放大圖1的固體電解電容器中的陽極體附近的概略截面 圖。
圖2B是構(gòu)成陽極體的一個(gè)金屬粒子的放大截面圖。
圖3是表示實(shí)施例1~4和比較例的固體電解電容器的依賴于凹陷 的平均深度的性能指數(shù)的評價(jià)結(jié)果的表。
圖4是表示實(shí)施例1、5~12和比較例的各固體電解電容器的依賴 于凹陷的平均直徑的性能指數(shù)的評價(jià)結(jié)果的表。
具體實(shí)施方式
附圖中,相同或相似的構(gòu)件使用相同或相似的符號。
下面,根據(jù)附圖說明本發(fā)明的實(shí)施方式。而且,并不能夠使用本 實(shí)施方式來限定本發(fā)明。圖1是表示本實(shí)施方式的固體電解電容器的 結(jié)構(gòu)的概略截面圖。圖2(A)是放大圖1的固體電解電容器中的陽極 體附近的概略截面圖,圖2(B)是構(gòu)成陽極體的一個(gè)金屬粒子大小的 放大截面圖。
本實(shí)施方式的固體電解電容器,如圖1所示,具有陽極體1、形成 在該陽極體1的表面上的電介質(zhì)層2、形成在該電介質(zhì)層2之上的導(dǎo)電 性高分子層3、和形成在該導(dǎo)電性高分子層3之上的陰極層4。而且, 如圖2(B)所示,電介質(zhì)層2從其與導(dǎo)電性高分子層3的界面朝向陽 極體(金屬粒子)1在電介質(zhì)層2的厚度方向具有多個(gè)孔狀的凹陷(凹 部)2a。詳細(xì)地說,沿著電介質(zhì)層2的表面設(shè)置有多個(gè)凹陷2a,而且 多個(gè)凹陷2a各自被導(dǎo)電性高分子層3填充。另外,并非必須利用導(dǎo)電 性高分子層3填充全部的凹陷2a,也可以是填充一部分(直到中途) 的狀態(tài)、完全沒有填充的凹陷內(nèi)部為空洞的狀態(tài),還可以是這些狀態(tài) 混合存在的狀態(tài)。
具體的固體電解電容器的結(jié)構(gòu)如下。
如圖2(A)所示,陽極體1利用由閥作用金屬構(gòu)成的金屬粒子的 多孔質(zhì)燒結(jié)體構(gòu)成,其內(nèi)部埋入有由閥作用金屬構(gòu)成的陽極引線1a的 一部分。此處,作為構(gòu)成陽極引線1a和陽極體1的閥作用金屬,是能 夠形成絕緣性的氧化膜的金屬材料,例如采用鈮、鉭、鋁(Al)、鈦(Ti) 等。此外,也可以采用上述閥作用金屬彼此的合金。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三洋電機(jī)株式會(huì)社,未經(jīng)三洋電機(jī)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810069099.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





