[發(fā)明專利]真空器件的封接裝置以及封接方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810067427.8
• 申請(qǐng)日: 2008-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101587807A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳鵬;陳丕瑾;杜秉初;郭彩林;劉亮;范守善
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): H01J9/26
• 分類號(hào): H01J9/26
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種真空器件的封接裝置，其包括：

一真空室；

一前容置室與一后容置室，且該前容置室與后容置室分別通過(guò)一第一閘門與一第二閘門與該真空室兩端相連通；

一抽真空系統(tǒng)分別與該前容置室、后容置室以及真空室相連通；

至少一運(yùn)輸裝置，可于前容置室、真空室以及后容置室之間運(yùn)動(dòng)；

其特征在于，該真空器件的封接裝置進(jìn)一步包括：

一低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐設(shè)置于所述真空室上方，該低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐通過(guò)一輸入管道與真空室相連通，所述低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐上設(shè)有一控制部件；

一第一加熱裝置設(shè)置于輸入管道與第二閘門之間的真空室內(nèi)壁上。

2.如權(quán)利要求1所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一第二加熱裝置于第一閘門與輸入管道之間的真空室內(nèi)壁上。

3.如權(quán)利要求2所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述第一加熱裝置與第二加熱裝置于第一閘門到第二閘門之間定義了一第一溫度梯度空間、一第二溫度梯度空間和一第三溫度梯度空間，其中，第二加熱裝置對(duì)應(yīng)于位于第一閘門與輸入管道之間的第一溫度梯度空間，第一加熱裝置對(duì)應(yīng)于位于輸入管道附近的第二溫度梯度空間，第三溫度梯度空間位于第二溫度梯度空間與第二閘門之間。

4.如權(quán)利要求3所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述第一加熱裝置與第二加熱裝置分別為電熱絲、紅外照射器或激光照射器中的一種。

5.如權(quán)利要求4所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐與該抽真空系統(tǒng)相連通。

6.如權(quán)利要求5所述的真空器件的封接裝置，其特征在于，所述控制部件包括一進(jìn)氣口與一抽氣口，且該進(jìn)氣口與抽氣口上分別設(shè)置有一第一閥門與一第二閥門。

7.一種采用如權(quán)利要求1所述的真空器件的封接裝置封接真空器件的方法，其包括以下步驟：?

將一定量的低熔點(diǎn)玻璃粉料置入所述低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐內(nèi)，并對(duì)低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐進(jìn)行抽真空密封，然后將該低熔點(diǎn)玻璃粉料加熱至熔融態(tài)；?

提供至少一預(yù)封接器件，所述預(yù)封接器件包括一殼體以及一排氣孔；?

將該至少一預(yù)封接器件置于前容置室內(nèi)的運(yùn)輸裝置上，并通過(guò)該抽真空系統(tǒng)對(duì)前容置室進(jìn)行抽真空；?

使載有預(yù)封接器件的運(yùn)輸裝置進(jìn)入真空室，通過(guò)輸入管道的下方，在每個(gè)預(yù)封接器件的排氣孔上設(shè)置一定量的熔融態(tài)的低熔點(diǎn)玻璃粉料，從而對(duì)預(yù)封接器件的排氣孔進(jìn)行逐個(gè)封接，而后凝固熔融態(tài)的低熔點(diǎn)玻璃粉料；以及?

對(duì)后容置室進(jìn)行抽真空，并使該預(yù)封接器件進(jìn)入后容置室，且通過(guò)后容置室將該預(yù)封接器件取出。?

8.如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述將低熔點(diǎn)玻璃粉料加熱至熔融態(tài)的同時(shí)，對(duì)低熔點(diǎn)玻璃粉熔爐進(jìn)行抽真空。?

9.如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述預(yù)封接器件的材料為玻璃或金屬。?

10.如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述預(yù)封接器件的排氣孔的孔徑為2～10毫米。?

11.如權(quán)利要求7所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述真空室在工作時(shí)，從第一閘門到第二閘門之間分別形成一第一溫度梯度空間、一第二溫度梯度空間和一第三溫度梯度空間，其中第一溫度梯度空間為中溫區(qū)，第二溫度梯度空間為高溫區(qū)，第三溫度梯度空間為低溫區(qū)。?

12.如權(quán)利要求11所述的真空器件的封接方法，其特征在于，第二溫度梯度空間的溫度與低熔點(diǎn)玻璃粉料的熔融態(tài)溫度相同。?

13.如權(quán)利要求12所述的真空器件的封接方法，其特征在于，所述第一溫度梯度空間的溫度范圍為200～300℃，第二溫度梯度空間的溫度范圍為300～350℃，第三溫度梯度空間的溫度范圍為50～200℃。?

14.如權(quán)利要求13所述的真空器件的封接方法，其特征在于，使該預(yù)封接器件進(jìn)入真空室后，依次通過(guò)第一溫度梯度空間、第二溫度梯度空間和第三溫度梯度空間，且將一定量的熔融態(tài)的低熔點(diǎn)玻璃粉料設(shè)置于該預(yù)封接器件的排氣孔上的步驟在預(yù)封接器件進(jìn)入第二溫度梯度空間后進(jìn)行。?