[發明專利]采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法無效
| 申請號: | 200810064911.5 | 申請日: | 2008-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN101304064A | 公開(公告)日: | 2008-11-12 |
| 發明(設計)人: | 王春青;田艷紅;孔令超;楊罡 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學;華之光電子(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L21/50;B23K1/005;B23K1/20 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 | 代理人: | 徐愛萍 |
| 地址: | 150001黑龍江*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 采用 激光 背部 加熱 led 芯片 熱沉鍵合 方法 | ||
1、采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法,其特征在于它的步驟為:
步驟一、分別在LED芯片(3-1)的背面及熱沉(3-2)的焊盤上鍍金Au;
步驟二、在所述鍍金Au焊盤上鍍或印刷上釬料層(3-3);
步驟三、將LED芯片(3-1)貼在鍍金Au焊盤的釬料層(3-3)上;
步驟四、用激光束(3-4)對準熱沉(3-2)上鍍金Au焊盤位置背面加熱,直到釬料層(3-3)熔化為止。
2、根據權利要求1所述的采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法,其特征在于所述的熱沉(3-2)的形狀是平板形、U形或散熱片形。
3、根據權利要求1所述的采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法,其特征在于所述的熱沉(3-2)的材料是銅Cu或鋁Al。
4、根據權利要求1所述的采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法,其特征在于所述釬料層(3-3)是SnAg、SnAgCu或PbSn。
5、根據權利要求1所述的采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法,其特征在于在所述步驟四中采用激光光點指示器(3-7)實現鍍金Au焊盤與激光束(3-4)對準。
6、根據權利要求5所述的采用激光在熱沉背部加熱的LED芯片與熱沉鍵合方法,其特征在于所述對準方法為:將激光光點指示器(3-7)置于熱沉(3-2)的上方,固定釬焊激光輸出鏡頭(3-5),通過移動所述激光光點指示器(3-7)使其輸出的激光指示光(3-6)與所述釬焊激光輸出鏡頭(3-5)輸出的釬焊激光束(3-4)重合,通過移動熱沉(3-2)使待鍵合的LED芯片(3-1)位于所述激光指示光(3-6)下。
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